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北检(北京)检测技术研究院(简称：北检院)，依托科研测试与材料检测重点领域，结合“211工程”和“985工程”建设，面向学校和社会企业开放的仪器共享机构和跨学科检测交叉融合平台。面向企业及科研单位跨学科研究、面向社会公共服务，构建具有装备优势、人才优势和服务优势的综合科研检测服务平台。 了解更多 +
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场效应晶体管检测

发布时间：2023-03-08 12:38:19 点击数：0
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检测样品

场效应晶体管

实验周期

7-15个工作日，加急实验一般5个工作日

检测项目

结至环境的热阻/结至壳的热阻栅-漏（直流）电压漏极反向（直流）电流栅-源阈值电压开通能量栅源阈值电压漏源击穿电压漏极电流漏极截止电流1分贝增益压缩点输出功率漏-源电压功率附加效率正向跨导静态漏源通态电阻输入电容栅极电荷漏极开路时，栅极截止电流栅极漏电流关断能量小信号短路正向跨导漏极漏电流静态漏-源通态电阻输出电容规定输入功率时的输出功率漏-源反向电压反向传输电容正向偏置安全工作区栅-源阈值电压VGS(Th)栅-源阈值电压VGS(TO)功率场效应晶体管沟道-管壳的瞬态热阻和热阻漏-源通态电阻关断时间小信号短路输入电容噪声系数栅-源（直流）电压漏-源通态电压栅极截止电流和栅极泄漏电流栅-源截止电压小信号短路反馈电容1分贝增益压缩点的功率增益正向恢复电荷高温阻断（HTRB）漏-源（直流）电压源极开路时，栅极截止电流间歇工作寿命（负载循环）正向恢复时间高温栅极偏置栅极截止电流/栅极泄漏电流通态漏-源电阻漏极峰值电流开启时间栅极内阻散射参数漏-源短路漏极电流漏-源短路时，栅极截止电流漏-源通态电压降栅-源短路时的漏极电流栅极截止电流或栅极漏泄电流漏极（直流）电流漏源极击穿电压小信号短路输出电容

检测标准

具有单一散热路径的半导体器件结到壳热阻瞬态双界面测试法 JESD 51-14：2010

半导体器件-分立器件-第8部分: 场效应晶体管 IEC 60747-8 Edition 3.0 :2010 6.2.1.3

半导体器件-分立器件-第8部分: 场效应晶体管 IEC 60747-8 Edition 3.0 :2010 6.2.1.6

《半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管》 GB/T 4586-1994 第IV章第6条

半导体器件-分立器件-第8部分: 场效应晶体管 IEC 60747-8 Edition 3.0 :2010 6.3.7

《半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管》 GB/T 4586-1994 /第IV章、6

《半导体分立器件试验方法》 GJB 128A-1997 方法3407

《半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管》 GB/T 4586-1994 第IV章3

《半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管》 GB/T4586-1994 第Ⅳ章4

半导体器件 分立器件 第4部分：微波器件 GB/T 20516-2006 第VII篇4.6

半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 第IV第15

半导体器件 分立器件 第4部分：微波器件 GB/T 20516-2006 第VII篇4.9

《半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管》 GB/T 4586-1994 第IV章6

半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 第IV第10

《半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管》 GB/T 4586-1994 /第IV章、16

半导体器件-分立器件-第8部分: 场效应晶体管 IEC 60747-8 Edition 3.0 :2010 6.3.10

半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 第IV第3

半导体器件-分立器件-第8部分: 场效应晶体管 IEC 60747-8 Edition 3.0 :2010 6.3.9

半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 第IV第2

半导体器件-分立器件-第8部分: 场效应晶体管 IEC 60747-8 Edition 3.0 :2010 6.3.4

半导体器件-分立器件-第8部分: 场效应晶体管 IEC 60747-8 Edition 3.0 :2010 6.3.8

半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 GB/T 4586-1994 IV.10

半导体器件-分立器件-第8部分: 场效应晶体管 IEC 60747-8 Edition 3.0 :2010 6.3.3

《半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管》 GB/T 4586-1994 第IV章第15条

《半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管》 GB/T 4586-1994 第IV章10

半导体器件-分立器件-第8部分: 场效应晶体管 IEC 60747-8 Edition 3.0 :2010 6.3.11

半导体器件 分立器件 第4部分：微波器件 GB/T 20516-2006 第VII篇4.7

半导体器件-分立器件-第8部分: 场效应晶体管 IEC 60747-8 Edition 3.0 :2010 6.3.15

半导体器件-分立器件-第8部分: 场效应晶体管 IEC 60747-8 Edition 3.0 :2010 6.3.12

《半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管》 GB/T 4586-1994 第IV章第19.1条

半导体器件 分立器件第8部分:场效应晶体管 GB/T4586-1994 /第Ⅳ篇第6节

《半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管》 GB/T4586-1994 第Ⅳ章6

半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 第Ⅳ章6

《半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管》 GB/T 4586-1994 第IV章第18条

《半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管》 GB/T 4586-1994 第IV章第10条

半导体器件 分立器件第8部分:场效应晶体管 GB/T4586-1994 /第Ⅳ篇第15节

《半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管》 GB/T 4586-1994 第IV章第14条

《半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管》 GB/T 4586-1994 第IV章第7条

半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 第IV第12.3

《半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管》 GB/T 4586-1994 /第IV章、3

半导体器件-分立器件-第8部分: 场效应晶体管 IEC 60747-8 Edition 3.0 :2010 6.2.1.2

半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 GB/T 4586-1994 IV.6

《半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管》 GB/T4586-1994 第Ⅳ章2

半导体器件 分立器件第8部分:场效应晶体管 GB/T4586-1994 /第Ⅳ篇第5节

半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 第IV第18

《半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管》 GB/T 4586-1994 第IV章第11条

半导体器件-分立器件-第8部分: 场效应晶体管 IEC 60747-8 Edition 3.0 :2010 6.3.2

半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 第IV第6

半导体器件 分立器件 第4部分：微波器件 GB/T 20516-2006 第VII篇4.8

半导体器件-分立器件-第8部分: 场效应晶体管 IEC 60747-8 Edition 3.0 :2010 6.3.14

半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 GB/T 4586-1994 IV.3

半导体器件 分立器件第8部分:场效应晶体管 GB/T4586-1994 /第Ⅳ篇第4节

半导体器件-分立器件-第8部分: 场效应晶体管 IEC 60747-8 Edition 3.0 :2010 7.3.1

半导体器件-分立器件-第8部分: 场效应晶体管 IEC 60747-8 Edition 3.0 :2010 6.2.1.1

半导体器件-分立器件-第8部分: 场效应晶体管 IEC 60747-8 Edition 3.0 :2010 7.3.3

半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 GB/T 4586-1994 IV.5

半导体器件-分立器件-第8部分: 场效应晶体管 IEC 60747-8 Edition 3.0 :2010 7.3.2

半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 GB/T 4586-1994 IV.15

半导体器件 分立器件第8部分:场效应晶体管 GB/T4586-1994 /第Ⅳ篇第2节

《半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管》 GB/T 4586-1994 第IV章16

半导体器件-分立器件-第8部分: 场效应晶体管 IEC 60747-8 Edition 3.0 :2010 6.2.1.5

半导体器件-分立器件-第8部分: 场效应晶体管 IEC 60747-8 Edition 3.0 :2010 6.3.13

半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 第Ⅳ章4

半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 第IV第17

半导体器件 分立器件第8部分:场效应晶体管 GB/T4586-1994 /第Ⅳ篇第3节

半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 第IV第5

半导体器件-分立器件-第8部分: 场效应晶体管 IEC 60747-8 Edition 3.0 :2010 6.3.5

《半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管》 GB/T 4586-1994 第IV章第2条

《半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管》 GB/T 4586-1994 第IV章第3条

半导体器件-分立器件-第8部分: 场效应晶体管 IEC 60747-8 Edition 3.0 :2010 6.2.1.4

《半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管》 GB/T 4586-1994 第IV章第4条

半导体器件-分立器件-第8部分: 场效应晶体管 IEC 60747-8 Edition 3.0 :2010 6.3.1

《半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管》 GB/T 4586-1994 第IV章第9条

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