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北检(北京)检测技术研究院(简称:北检院),依托科研测试与材料检测重点领域,结合“211工程”和“985工程”建设,面向学校和社会企业开放的仪器共享机构和跨学科检测交叉融合平台。面向企业及科研单位跨学科研究、面向社会公共服务,构建具有装备优势、人才优势和服务优势的综合科研检测服务平台。 了解更多 +
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半导体分立器件和集成电路光电子器件检测

发布时间:2023-07-02 11:27:34 点击数:
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检测样品

半导体分立器件和集成电路光电子器件

实验周期

7-15个工作日,加急实验一般5个工作日

检测项目

输入反向漏电流 IR输出高电平电压VOH正向电压(输入二极管)VF集电极-发射极截止电流 ICEO反向击穿电压(二极管)VR高电平电源电流ICCH电流传输比CTR输出低电平电压VOL低电平电源电流ICCL集电极-发射极击穿电压正向电流(二极管)IF发射极-集电极击穿电压 VECO集电极-发射极截止电流(直流法)ICEO反向击穿电压(二极管)集电极-发射极饱和电压正向电压(输入二极管)输出高电平电压VOH

检测标准

半导分立器件和集成电路 第5-3部分:光电子器件测试方法 GB/T 15651.3-2003 4.1

半导体光电耦合器测试方法 SJ/T 2215-2015 5.14

半导体光电耦合器测试方法 SJ/T 2215-2015 5.3

半导体光电耦合器测试方法 SJ/T 2215-2015 5.1

半导体光电耦合器测试方法 SJ/T 2215-2015 5.8

半导体光电耦合器测试方法 SJ/T 2215-2015 5.4

半导体光电耦合器测试方法 SJ/T 2215-2015 5.16

半导分立器件和集成电路 第5-3部分:光电子器件测试方法 GB/T 15651.3-2003 5.1

半导分立器件和集成电路 第5-3部分:光电子器件测试方法 GB/T 15651.3-2003 4.2

半导体光电耦合器测试方法 SJ/T 2215-2015 5.15

半导体光电耦合器测试方法 SJ/T 2215-2015 5.17

半导体光电耦合器测试方法 SJ/T2215-2015 方法5.6

半导体光电耦合器测试方法 SJ/T 2215-2015 5.2

半导体光电耦合器测试方法 SJ/T 2215-2015 5.9

半导体光电耦合器测试方法 SJ/T 2215-2015 5.6

半导体光电耦合器测试方法 SJ/T2215-2015 方法3

半导体光电耦合器测试方法 SJ/T2215-2015 方法5.4

半导体光电耦合器测试方法 SJ/T2215-2015 方法5.7

半导体光电耦合器测试方法 SJ/T2215-2015 方法5.1

半导体光电耦合器测试方法 SJ/T 2215-2015 5.14

以上标准仅供参考,如有其他标准需求或者实验方案需求可以咨询工程师

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