机构简介
北检(北京)检测技术研究院(简称:北检院),依托科研测试与材料检测重点领域,结合“211工程”和“985工程”建设,面向学校和社会企业开放的仪器共享机构和跨学科检测交叉融合平台。面向企业及科研单位跨学科研究、面向社会公共服务,构建具有装备优势、人才优势和服务优势的综合科研检测服务平台。 了解更多 +
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PROM memory检测

发布时间:2023-07-11 06:16:37 点击数:0
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检测样品

PROM memory

实验周期

7-15个工作日,加急实验一般5个工作日

检测项目

输入低电平读存取时间功能验证输出低电平输入高电平最少写脉冲的持续时间(脉宽)输出高电平写数据参数静态电源电流片选存取时间写恢复时间功能检验

检测标准

《半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)测试方法》 GB/T 36474-2018 5.4.4.2

《半导体集成电路 第2部分:数字集成电路》 GB/T 17574-1998 /第IV篇、第3节、4.6

《半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)测试方法》 GB/T 36474-2018 5.1

《半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)测试方法》 GB/T 36474-2018 5.3.4.2

《半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)测试方法》 GB/T 36474-2018 5.4.4.1

《半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)测试方法》 GB/T 36474-2018 5.3.4.1

《半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)测试方法》 GB/T 36474-2018 5.4

《半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)测试方法》 GB/T 36474-2018 5.5

《半导体集成电路 第2部分:数字集成电路》 GB/T 17574-1998 /第IV篇、第3节、4.6

以上标准仅供参考,如有其他标准需求或者实验方案需求可以咨询工程师

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