PROM memory
7-15个工作日,加急实验一般5个工作日
输入低电平读存取时间功能验证输出低电平输入高电平最少写脉冲的持续时间(脉宽)输出高电平写数据参数静态电源电流片选存取时间写恢复时间功能检验
《半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)测试方法》 GB/T 36474-2018 5.4.4.2
《半导体集成电路 第2部分:数字集成电路》 GB/T 17574-1998 /第IV篇、第3节、4.6
《半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)测试方法》 GB/T 36474-2018 5.1
《半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)测试方法》 GB/T 36474-2018 5.3.4.2
《半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)测试方法》 GB/T 36474-2018 5.4.4.1
《半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)测试方法》 GB/T 36474-2018 5.3.4.1
《半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)测试方法》 GB/T 36474-2018 5.4
《半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)测试方法》 GB/T 36474-2018 5.5
《半导体集成电路 第2部分:数字集成电路》 GB/T 17574-1998 /第IV篇、第3节、4.6
以上标准仅供参考,如有其他标准需求或者实验方案需求可以咨询工程师