半导体超纯材料-痕量杂质检测

信息概要

半导体超纯材料-痕量杂质检测是针对高纯度半导体材料中极微量杂质成分的分析服务。半导体制造对材料纯度要求极高，痕量杂质可能显著影响器件性能、可靠性和良率。检测服务通过高精度技术手段，确保材料符合国际标准（如SEMI、ASTM等），为晶圆、外延片、靶材等关键材料提供质量控制依据，是半导体产业链中不可或缺的环节。

检测项目

金属杂质（Na、K、Ca、Fe、Cu、Ni、Cr、Zn、Al、Mg）, 非金属杂质（C、O、N、S、P、B）, 稀土元素（La、Ce、Nd）, 卤素元素（F、Cl、Br）, 颗粒物浓度, 表面污染物, 体材料杂质分布, 放射性元素（U、Th）, 有机残留物, 水分含量, 氢含量, 硅氧含量, 碳氢化合物, 酸可溶物, 碱可溶物, 总有机碳, 电导率, 载流子浓度, 缺陷密度

检测范围

单晶硅锭, 硅抛光片, 硅外延片, 砷化镓晶圆, 氮化镓衬底, 碳化硅衬底, 磷化铟晶圆, 蓝宝石衬底, 溅射靶材, 蒸发材料, 化学机械抛光液, 光刻胶, 高纯气体（氩气、氮气）, 超纯水, 蚀刻液, 清洗剂, 封装材料, 键合线, 陶瓷基板, 导热材料

检测方法

电感耦合等离子体质谱法（ICP-MS）：测定ppt级金属杂质

二次离子质谱法（SIMS）：深度剖析杂质分布

气相色谱-质谱联用（GC-MS）：分析有机挥发物

总有机碳分析仪（TOC）：测定有机碳总量

激光散射颗粒计数器：量化颗粒污染物

傅里叶变换红外光谱（FTIR）：检测分子键合杂质

放射性同位素示踪法：测定铀钍含量

原子吸收光谱（AAS）：特定元素定量分析

X射线光电子能谱（XPS）：表面化学态分析

辉光放电质谱（GDMS）：体材料全元素扫描

离子色谱法（IC）：阴离子杂质检测

库仑法：氧氮氢精确测定

俄歇电子能谱（AES）：纳米级表面污染分析

低温荧光光谱：检测深能级缺陷

扫描电子显微镜-能谱联用（SEM-EDS）：形貌与成分关联分析

检测仪器

高分辨ICP-MS, 飞行时间SIMS, 四极杆GC-MS, 激光剥蚀系统, 全反射X射线荧光仪, 低温傅里叶变换红外光谱仪, 超痕量放射性检测仪, 石墨炉原子吸收光谱仪, 场发射电子探针, 辉光放电质谱仪, 离子色谱系统, 库仑分析仪, 俄歇纳米探针, 深能级瞬态谱仪, 原子力显微镜-红外联用系统

北检院部分仪器展示