硅外延片-电阻率均匀性测定

信息概要

硅外延片-电阻率均匀性测定是半导体材料检测中的重要项目之一，主要用于评估外延层电阻率在晶圆表面的分布均匀性。该检测对于确保半导体器件性能的一致性、可靠性和良率至关重要。电阻率均匀性直接影响集成电路的电气特性，因此精准测定是质量控制的关键环节。第三方检测机构通过专业设备和方法，为客户提供准确、高效的检测服务，助力半导体行业提升产品品质。

检测项目

电阻率均匀性，厚度均匀性，载流子浓度，表面缺陷密度，晶体取向，表面粗糙度，掺杂浓度，少子寿命，氧含量，碳含量，位错密度，层错密度，应力分布，表面金属污染，颗粒污染，表面平整度，翘曲度，弯曲度，边缘排除，表面反射率

检测范围

N型硅外延片，P型硅外延片，重掺杂硅外延片，轻掺杂硅外延片，薄层外延片，厚层外延片，高阻外延片，低阻外延片，异质外延片，同质外延片，SOI外延片，SiC外延片，Ge外延片，GaAs外延片，InP外延片，GaN外延片，AlN外延片，ZnO外延片，CdTe外延片，HgCdTe外延片

检测方法

四探针法：通过四探针电阻率测试仪测量表面电阻率分布。

涡流法：利用涡流效应非接触测量电阻率均匀性。

霍尔效应法：测定载流子浓度和迁移率以计算电阻率。

光学干涉法：用于测量外延层厚度均匀性。

X射线衍射法：分析晶体结构和应力分布。

原子力显微镜：检测表面形貌和粗糙度。

扫描电子显微镜：观察表面微观缺陷和污染。

二次离子质谱：测定掺杂元素浓度分布。

傅里叶变换红外光谱：测量氧、碳等杂质含量。

表面光电压法：评估少子寿命和表面复合速率。

激光散射法：检测表面颗粒污染。

椭偏仪法：测量薄膜厚度和光学常数。

热波法：评估热扩散率和缺陷密度。

微波反射法：非接触测量电阻率和载流子浓度。

电容-电压法：测定掺杂浓度分布。

检测仪器

四探针电阻率测试仪，涡流电阻率测试仪，霍尔效应测试系统，光学干涉仪，X射线衍射仪，原子力显微镜，扫描电子显微镜，二次离子质谱仪，傅里叶变换红外光谱仪，表面光电压测试仪，激光颗粒计数器，椭偏仪，热波检测系统，微波反射仪，电容-电压测试仪

北检院部分仪器展示