静态二次离子质谱(Static-SIMS)是一种表面分析技术,通过低剂量离子束轰击样品表面,检测溅射出的二次离子,从而获得表面化学成分和分子结构信息。该技术具有高灵敏度、高分辨率和无损检测的特点,广泛应用于材料科学、生物医学、半导体等领域。检测的重要性在于能够精确表征材料表面成分,为产品质量控制、失效分析、工艺优化等提供关键数据支持。
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静态二次离子质谱法(Static-SIMS):通过低剂量离子束轰击样品表面,检测溅射出的二次离子。
飞行时间二次离子质谱法(TOF-SIMS):结合飞行时间分析器,提高质量分辨率和检测灵敏度。
X射线光电子能谱法(XPS):用于表面元素组成和化学态分析。
俄歇电子能谱法(AES):用于表面元素组成和化学态分析。
傅里叶变换红外光谱法(FTIR):用于表面分子结构分析。
拉曼光谱法(Raman):用于表面分子结构分析。
原子力显微镜法(AFM):用于表面形貌和力学性能分析。
扫描电子显微镜法(SEM):用于表面形貌和元素分布分析。
透射电子显微镜法(TEM):用于表面形貌和元素分布分析。
辉光放电质谱法(GD-MS):用于体相元素组成分析。
电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS):用于体相元素组成分析。
二次离子质谱成像法(SIMS Imaging):用于表面元素和分子分布成像。
深度剖析法(Depth Profiling):用于表面层和界面成分分析。
热脱附质谱法(TDS):用于表面吸附物种分析。
离子散射谱法(ISS):用于表面元素组成分析。
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