硅料纯度检测(11N级)

信息概要

硅料纯度检测(11N级)是针对高纯度硅材料的关键检测服务，确保其纯度达到99.999999999%（11N）级别。此类检测广泛应用于半导体、光伏、电子元器件等高科技领域，对产品质量和性能具有决定性影响。通过第三方检测机构的专业服务，可精准评估硅料的杂质含量、晶体结构等核心指标，为生产和使用提供可靠数据支持。

检测项目

总杂质含量, 金属杂质含量（如铁、铜、铝）, 非金属杂质含量（如碳、氧、氮）, 硼含量, 磷含量, 电阻率, 载流子寿命, 晶体缺陷密度, 表面污染度, 颗粒度分布, 氧含量, 碳含量, 氢含量, 氯含量, 硫含量, 钠含量, 钾含量, 重金属含量, 放射性元素含量, 晶体取向

检测范围

多晶硅, 单晶硅, 硅锭, 硅片, 硅粉, 硅棒, 硅颗粒, 太阳能级硅, 电子级硅, 高纯硅, 掺杂硅, 硅薄膜, 硅熔体, 硅靶材, 硅晶圆, 硅基材料, 硅合金, 硅化合物, 硅纳米材料, 硅胶

检测方法

辉光放电质谱法（GD-MS）：用于检测痕量金属和非金属杂质。

二次离子质谱法（SIMS）：分析表面和体内杂质分布。

电感耦合等离子体质谱法（ICP-MS）：测定超低浓度元素含量。

傅里叶变换红外光谱法（FTIR）：检测氧、碳等轻元素含量。

四探针电阻率测试法：测量硅料的电阻率。

微波光电导衰减法（μ-PCD）：评估载流子寿命。

X射线衍射法（XRD）：分析晶体结构和取向。

扫描电子显微镜（SEM）：观察表面形貌和缺陷。

透射电子显微镜（TEM）：检测微观晶体缺陷。

原子力显微镜（AFM）：表征表面粗糙度和纳米级缺陷。

气相色谱-质谱联用法（GC-MS）：测定挥发性杂质。

激光粒度分析法：测量硅粉颗粒分布。

放射性检测法：筛查放射性元素污染。

湿化学分析法：通过酸溶解测定特定杂质。

X射线荧光光谱法（XRF）：快速检测元素组成。

检测仪器

辉光放电质谱仪, 二次离子质谱仪, 电感耦合等离子体质谱仪, 傅里叶变换红外光谱仪, 四探针电阻率测试仪, 微波光电导衰减仪, X射线衍射仪, 扫描电子显微镜, 透射电子显微镜, 原子力显微镜, 气相色谱-质谱联用仪, 激光粒度分析仪, 放射性检测仪, X射线荧光光谱仪, 湿化学分析设备

北检院部分仪器展示