P型硼掺杂硅片四探针电阻率映射（ASTM F84）

信息概要

P型硼掺杂硅片四探针电阻率映射（ASTM F84）是一种用于测量硅片电阻率分布的关键检测技术，广泛应用于半导体制造、光伏产业等领域。该检测通过四探针法精准获取硅片的电阻率数据，确保材料性能符合行业标准。检测的重要性在于：1）保证硅片电学性能的一致性；2）优化生产工艺；3）提高器件良率；4）满足客户对材料质量的严格要求。本服务可为客户提供高精度、高效率的电阻率映射检测，助力产品质量控制。

检测项目

电阻率平均值，电阻率均匀性，电阻率分布图，薄层电阻，载流子浓度，掺杂浓度，温度系数，表面缺陷，厚度偏差，晶向偏差，边缘排除区域电阻率，中心点电阻率，径向电阻率梯度，片内电阻率变化，片间电阻率差异，热处理影响评估，氧含量影响，碳含量影响，位错密度，杂质浓度

检测范围

单晶硅片，多晶硅片，抛光硅片，研磨硅片，外延硅片，SOI硅片，太阳能级硅片，集成电路用硅片，功率器件用硅片，传感器用硅片， MEMS硅片，超薄硅片，大直径硅片，重掺杂硅片，轻掺杂硅片，退火硅片，扩散硅片，离子注入硅片， epitaxial硅片，SOG硅片

检测方法

四探针电阻率测量法（ASTM F84）：通过线性四探针接触硅片表面测量电阻率。

扫描式电阻率映射：通过自动化平台对硅片表面进行多点电阻率扫描。

霍尔效应测试：用于测量载流子浓度和迁移率。

二次离子质谱（SIMS）：分析掺杂元素浓度分布。

傅里叶变换红外光谱（FTIR）：测定硅片中氧、碳含量。

X射线衍射（XRD）：评估晶格结构和晶向。

表面光电压（SPV）：测量少数载流子扩散长度。

微波光电导衰减（μ-PCD）：检测载流子寿命。

热波法：评估硅片热处理效果。

激光散射法：检测表面缺陷和颗粒。

椭偏仪测量：测定薄膜厚度和光学常数。

原子力显微镜（AFM）：观察表面形貌和粗糙度。

扫描电子显微镜（SEM）：分析表面微观结构。

透射电子显微镜（TEM）：观察晶体缺陷。

能谱分析（EDS）：测定元素组成。

检测仪器

四探针电阻率测试仪，自动电阻率映射系统，霍尔效应测试仪，SIMS分析仪，FTIR光谱仪，X射线衍射仪，SPV测试系统，μ-PCD测试仪，热波分析仪，激光散射仪，椭偏仪，原子力显微镜，扫描电子显微镜，透射电子显微镜，能谱仪

北检院部分仪器展示