CMOS图像传感器满阱容量线性度是衡量传感器性能的重要指标之一,它反映了传感器在接收光信号时的电荷存储能力与输出信号之间的线性关系。满阱容量线性度的检测对于确保图像传感器的准确性、动态范围以及低噪声性能至关重要。第三方检测机构提供的检测服务能够客观评估产品的性能,帮助厂商优化设计并满足行业标准要求。检测信息包括满阱容量、线性度、噪声特性等关键参数,确保产品在各类应用场景下的可靠性和一致性。
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满阱容量测试:通过逐步增加光照强度,测量传感器的饱和输出信号。
线性度测试:在不同光照条件下,检测输出信号与输入光强的线性关系。
暗电流测试:在无光照条件下,测量传感器的暗电流水平。
动态范围测试:计算传感器最大信号与最小可检测信号的比值。
信噪比测试:测量信号与噪声的比值,评估图像质量。
灵敏度测试:检测传感器对弱光的响应能力。
量子效率测试:测量传感器将光子转换为电子的效率。
非线性误差测试:评估输出信号与理想线性响应的偏差。
响应均匀性测试:检测传感器不同像素的响应一致性。
暗噪声测试:在无光照条件下,测量传感器的噪声水平。
光响应非均匀性测试:评估传感器在不同光照条件下的响应差异。
像素缺陷测试:检测传感器中的坏点或异常像素。
串扰测试:测量相邻像素之间的信号干扰。
曝光时间误差测试:评估传感器在不同曝光时间下的响应准确性。
工作温度范围测试:检测传感器在不同温度下的性能稳定性。
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