漏电芯片光发射显微镜（EMMI）定位

信息概要

漏电芯片光发射显微镜（EMMI）定位是一种先进的失效分析技术，主要用于检测集成电路（IC）中的漏电、短路、热载流子效应等缺陷。通过捕捉芯片在通电状态下产生的微弱光信号，EMMI能够精确定位故障点，为芯片修复和工艺改进提供关键依据。该技术在高可靠性电子设备、汽车电子、航空航天等领域具有重要应用价值，能够显著提升产品质量和可靠性，降低生产成本。

检测项目

漏电流检测，热载流子发光分析，闩锁效应定位，静电放电损伤分析，短路故障定位，栅氧击穿检测，接触失效分析，金属迁移评估，晶体管漏电分析，PN结失效定位，寄生效应检测，闩锁效应验证，热斑定位，电迁移评估，介质层缺陷分析，界面态检测，载流子复合分析，能带跃迁研究，缺陷密度评估，可靠性寿命测试

检测范围

逻辑芯片，存储器芯片，模拟芯片，射频芯片，功率器件，传感器芯片，微处理器，数字信号处理器，图像传感器，光电二极管，激光二极管，LED芯片，太阳能电池，MEMS器件，生物芯片，汽车电子芯片，航空航天电子芯片，医疗电子芯片，通信芯片，物联网芯片

检测方法

光发射显微镜（EMMI）分析：通过捕捉芯片通电时产生的微弱光信号定位故障点。

红外热成像：检测芯片表面的温度分布，定位热斑和漏电区域。

电子束诱导电流（EBIC）：利用电子束激发载流子，分析芯片内部缺陷。

聚焦离子束（FIB）切割：对芯片进行纳米级加工，暴露内部结构进行观察。

扫描电子显微镜（SEM）分析：高分辨率观察芯片表面形貌和缺陷。

透射电子显微镜（TEM）分析：观察芯片内部纳米级结构和缺陷。

原子力显微镜（AFM）分析：测量芯片表面形貌和电学特性。

二次离子质谱（SIMS）：分析芯片材料的成分和杂质分布。

X射线光电子能谱（XPS）：分析芯片表面元素的化学状态。

深能级瞬态谱（DLTS）：检测半导体中的深能级缺陷。

电容-电压（C-V）测试：分析介电层和界面特性。

电流-电压（I-V）测试：评估器件的电学性能。

时间相关介电击穿（TDDB）测试：评估介电层的可靠性。

热载流子注入（HCI）测试：评估晶体管的热载流子效应。

电迁移（EM）测试：评估金属互连的可靠性。

检测仪器

光发射显微镜（EMMI），红外热像仪，扫描电子显微镜（SEM），透射电子显微镜（TEM），聚焦离子束系统（FIB），原子力显微镜（AFM），二次离子质谱仪（SIMS），X射线光电子能谱仪（XPS），深能级瞬态谱仪（DLTS），参数分析仪，半导体特性分析仪，探针台，激光扫描显微镜，X射线衍射仪（XRD），能谱仪（EDS）

北检院部分仪器展示