SiC外延片非接触涡流法载流子分布

信息概要

SiC外延片非接触涡流法载流子分布检测是一种用于评估碳化硅(SiC)外延片载流子浓度分布的关键技术。该检测通过非接触式涡流测量方法，快速、准确地获取外延片的载流子浓度及其均匀性，对于确保SiC功率器件性能的稳定性和可靠性至关重要。SiC外延片作为第三代半导体的核心材料，其载流子分布的均匀性直接影响器件的导通电阻、击穿电压等关键参数。通过第三方检测机构的专业服务，客户可以获取客观、公正的检测数据，为产品研发、质量控制及工艺优化提供科学依据。

检测项目

载流子浓度,载流子分布均匀性,外延层厚度,电阻率,迁移率,表面缺陷密度,界面态密度,掺杂浓度,掺杂均匀性,晶体质量,位错密度,表面粗糙度,应力分布,热稳定性,化学组分,电学性能均匀性,击穿电压,漏电流,载流子寿命,霍尔效应参数

检测范围

4H-SiC外延片,6H-SiC外延片,3C-SiC外延片,n型SiC外延片,p型SiC外延片,高阻SiC外延片,低阻SiC外延片,重掺杂SiC外延片,轻掺杂SiC外延片,超薄SiC外延片,厚膜SiC外延片,半绝缘SiC外延片,导电型SiC外延片,同质外延片,异质外延片,多晶SiC外延片,单晶SiC外延片,SiC-on-Si外延片,SiC-on-SiC外延片,SiC-on-Sapphire外延片

检测方法

非接触涡流法：通过涡流传感器测量载流子浓度分布，无需接触样品表面。

霍尔效应测试：利用霍尔效应原理测量载流子浓度、迁移率和电阻率。

二次离子质谱(SIMS)：分析外延层的掺杂浓度和化学组分。

X射线衍射(XRD)：评估外延层的晶体质量和应力分布。

原子力显微镜(AFM)：测量表面形貌和粗糙度。

扫描电子显微镜(SEM)：观察表面微观结构和缺陷。

透射电子显微镜(TEM)：分析晶体结构和位错密度。

拉曼光谱：检测应力分布和晶体质量。

傅里叶变换红外光谱(FTIR)：测量外延层厚度和载流子浓度。

电容-电压(C-V)测试：评估界面态密度和掺杂分布。

电流-电压(I-V)测试：分析电学性能和漏电流特性。

光致发光(PL)光谱：检测载流子寿命和缺陷状态。

热波法：评估热稳定性和热导率。

椭偏仪：测量光学常数和薄膜厚度。

四探针法：测试表面电阻率和均匀性。

检测仪器

涡流测量仪,霍尔效应测试系统,二次离子质谱仪,X射线衍射仪,原子力显微镜,扫描电子显微镜,透射电子显微镜,拉曼光谱仪,傅里叶变换红外光谱仪,电容-电压测试仪,电流-电压测试仪,光致发光光谱仪,热波分析仪,椭偏仪,四探针测试仪

北检院部分仪器展示