中子光栅刻蚀液 硼同位素丰度质谱分析

信息概要

中子光栅刻蚀液硼同位素丰度质谱分析是一种用于测定刻蚀液中硼同位素组成的高精度检测技术。该技术通过质谱分析方法，准确测定硼-10和硼-11的同位素丰度比，对于中子光栅的制备工艺优化、性能评估及质量控制具有重要意义。检测结果可为材料科学、核能应用及半导体制造等领域提供关键数据支持，确保产品的可靠性和稳定性。

检测项目

硼-10同位素丰度，硼-11同位素丰度，硼总含量，杂质元素含量，pH值，密度，粘度，电导率，溶解性，稳定性，腐蚀性，挥发性，颗粒度分布，氧化还原电位，水分含量，有机溶剂残留，金属离子浓度，阴离子浓度，同位素比值偏差，同位素分馏效应

检测范围

酸性刻蚀液，碱性刻蚀液，中性刻蚀液，高纯度刻蚀液，低纯度刻蚀液，含氟刻蚀液，无氟刻蚀液，有机溶剂型刻蚀液，水基刻蚀液，混合型刻蚀液，高温稳定型刻蚀液，低温适用型刻蚀液，快速刻蚀液，慢速刻蚀液，高选择性刻蚀液，低选择性刻蚀液，环保型刻蚀液，工业级刻蚀液，实验室级刻蚀液，定制化刻蚀液

检测方法

电感耦合等离子体质谱法（ICP-MS）：用于高精度测定硼同位素丰度及杂质元素含量。

离子色谱法（IC）：测定阴离子浓度及溶解性。

原子吸收光谱法（AAS）：分析金属离子浓度。

pH计法：测量刻蚀液的酸碱度。

密度计法：测定液体的密度。

粘度计法：测量液体的粘度。

电导率仪法：评估液体的电导性能。

气相色谱法（GC）：检测有机溶剂残留。

激光粒度分析法：测定颗粒度分布。

氧化还原电位法：评估液体的氧化还原特性。

卡尔费休法：测定水分含量。

腐蚀性测试法：评估刻蚀液对材料的腐蚀性。

稳定性测试法：检测刻蚀液在不同条件下的稳定性。

挥发性测试法：测定液体的挥发性。

同位素比值质谱法（IRMS）：精确测定硼同位素比值。

检测仪器

电感耦合等离子体质谱仪，离子色谱仪，原子吸收光谱仪，pH计，密度计，粘度计，电导率仪，气相色谱仪，激光粒度分析仪，氧化还原电位仪，卡尔费休水分测定仪，腐蚀性测试仪，稳定性测试箱，挥发性测试仪，同位素比值质谱仪

北检院部分仪器展示