硅晶圆铜互连刻蚀液 铜残留量ICP-MS痕量检测

信息概要

硅晶圆铜互连刻蚀液铜残留量ICP-MS痕量检测是一项针对半导体制造过程中使用的刻蚀液中铜残留量的高精度检测服务。铜残留量直接影响硅晶圆的性能和可靠性，过高的铜残留可能导致电路短路或信号干扰，因此严格监控刻蚀液中的铜含量对保障半导体产品质量至关重要。该检测通过ICP-MS（电感耦合等离子体质谱）技术实现痕量级铜元素的定量分析，确保刻蚀液符合行业标准及生产工艺要求。

检测项目

铜残留量, 铁含量, 镍含量, 锌含量, 铅含量, 镉含量, 砷含量, 汞含量, 铬含量, 锰含量, 钴含量, 银含量, 锡含量, 锑含量, 铋含量, 铝含量, 镁含量, 钙含量, 钠含量, 钾含量

检测范围

酸性铜刻蚀液, 碱性铜刻蚀液, 氯化铜刻蚀液, 硫酸铜刻蚀液, 硝酸铜刻蚀液, 氨性铜刻蚀液, 过氧化氢基刻蚀液, 氟化物基刻蚀液, 磷酸基刻蚀液, 乙酸基刻蚀液, 有机酸刻蚀液, 无机酸刻蚀液, 复合型刻蚀液, 电镀铜刻蚀液, 化学机械抛光液, 清洗液, 钝化液, 去胶液, 显影液, 剥离液

检测方法

ICP-MS法（电感耦合等离子体质谱法）：高灵敏度痕量元素分析技术，适用于ppb级铜残留检测。

ICP-OES法（电感耦合等离子体发射光谱法）：用于多元素同时检测，检测限可达ppm级。

AAS法（原子吸收光谱法）：传统金属元素定量方法，适用于特定元素分析。

AFS法（原子荧光光谱法）：针对砷、汞等元素的痕量检测。

XRF法（X射线荧光光谱法）：快速无损筛查，适用于固体或液体样品。

离子色谱法：检测刻蚀液中阴离子杂质含量。

电位滴定法：测定刻蚀液的酸度或碱度。

紫外可见分光光度法：基于显色反应的定量分析。

气相色谱法：检测有机溶剂残留。

液相色谱法：分析有机添加剂或降解产物。

质谱联用法（如GC-MS、LC-MS）：复杂有机物鉴定。

电化学分析法：检测氧化还原活性物质。

激光诱导击穿光谱法：快速表面元素分析。

中子活化分析：超高灵敏度多元素检测。

微波消解前处理法：样品制备技术，提高检测准确性。

检测仪器

电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS), 电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP-OES), 原子吸收光谱仪(AAS), 原子荧光光谱仪(AFS), X射线荧光光谱仪(XRF), 离子色谱仪, 紫外可见分光光度计, 气相色谱仪(GC), 液相色谱仪(HPLC), 气相色谱-质谱联用仪(GC-MS), 液相色谱-质谱联用仪(LC-MS), 电位滴定仪, 激光诱导击穿光谱仪(LIBS), 中子活化分析仪, 微波消解仪

北检院部分仪器展示