碳化硅MOSFET开关损耗检测

信息概要

碳化硅MOSFET开关损耗检测是针对碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管在开关过程中能量损耗的专业测试服务。碳化硅MOSFET因其高频、高温、高效等特性，广泛应用于新能源、电动汽车、工业电源等领域。开关损耗是影响器件性能和系统效率的关键参数，通过精准检测可以优化电路设计、提高能效并延长器件寿命。第三方检测机构提供权威、客观的检测服务，确保数据准确性和可靠性，为客户的产品研发和质量控制提供有力支持。

检测项目

开通损耗, 关断损耗, 反向恢复损耗, 导通电阻, 栅极电荷, 开关时间, 阈值电压, 跨导, 输出电容, 输入电容, 反向传输电容, 热阻, 结温, 漏极电流, 栅极电压, 反向耐压, 动态特性, 静态特性, 效率评估, 可靠性测试

检测范围

平面栅碳化硅MOSFET, 沟槽栅碳化硅MOSFET, 单管碳化硅MOSFET, 模块化碳化硅MOSFET, 低压碳化硅MOSFET, 高压碳化硅MOSFET, 高频碳化硅MOSFET, 高温碳化硅MOSFET, 低导通电阻碳化硅MOSFET, 高功率碳化硅MOSFET, 汽车级碳化硅MOSFET, 工业级碳化硅MOSFET, 商用级碳化硅MOSFET, 军用级碳化硅MOSFET, 分立式碳化硅MOSFET, 集成式碳化硅MOSFET, 氮化镓混合碳化硅MOSFET, 超结碳化硅MOSFET, 屏蔽栅碳化硅MOSFET, 双沟道碳化硅MOSFET

检测方法

双脉冲测试法：通过双脉冲信号激励器件，测量开关过程中的电压和电流波形，计算损耗。

热阻测试法：利用热阻测试仪测量器件在不同功率下的温升，评估热性能。

动态参数测试法：使用示波器和电流探头捕捉开关瞬态响应，分析动态特性。

静态参数测试法：通过半导体参数分析仪测量器件的静态电学参数。

电容测试法：采用LCR表或阻抗分析仪测量器件的输入、输出和反向传输电容。

栅极电荷测试法：通过积分电路测量栅极电荷特性。

反向恢复测试法：利用示波器和电流探头检测体二极管的反向恢复行为。

效率测试法：搭建完整电路，测量输入输出功率，计算效率。

高温测试法：在高温环境下进行开关损耗测试，评估高温性能。

低温测试法：在低温环境下进行开关损耗测试，评估低温性能。

可靠性测试法：通过长时间老化试验评估器件的可靠性。

EMI测试法：测量开关过程中的电磁干扰水平。

振动测试法：模拟实际应用中的振动环境，测试器件的机械稳定性。

湿度测试法：在高湿度环境下测试器件的耐湿性能。

盐雾测试法：模拟恶劣环境，测试器件的耐腐蚀性能。

检测仪器

示波器, 电流探头, 电压探头, 双脉冲测试平台, 半导体参数分析仪, LCR表, 阻抗分析仪, 热阻测试仪, 功率分析仪, 高温箱, 低温箱, 振动台, 湿度箱, 盐雾试验箱, EMI测试仪

北检院部分仪器展示