光刻胶痕量金属认证

信息概要

光刻胶痕量金属认证是针对半导体制造中使用的光刻胶材料中痕量金属杂质含量的检测服务。光刻胶作为芯片制造的关键材料，其纯度直接影响半导体器件的性能和良率。痕量金属杂质可能导致电路短路、漏电或可靠性问题，因此严格检测光刻胶中的金属含量至关重要。本检测服务通过高精度分析技术，确保光刻胶符合行业标准（如SEMI标准），为半导体制造商提供可靠的质量保障。

检测项目

钠(Na), 钾(K), 钙(Ca), 镁(Mg), 铁(Fe), 铜(Cu), 锌(Zn), 镍(Ni), 铬(Cr), 铝(Al), 钛(Ti), 锰(Mn), 钴(Co), 钼(Mo), 银(Ag), 金(Au), 铅(Pb), 锡(Sn), 锑(Sb), 砷(As)

检测范围

正性光刻胶, 负性光刻胶, 紫外光刻胶, 深紫外光刻胶, 极紫外光刻胶, 电子束光刻胶, 离子束光刻胶, 化学放大光刻胶, 厚膜光刻胶, 薄膜光刻胶, 高分辨率光刻胶, 低温光刻胶, 高温光刻胶, 无溶剂光刻胶, 水性光刻胶, 酚醛树脂光刻胶, 丙烯酸酯光刻胶, 硅基光刻胶, 金属氧化物光刻胶, 纳米压印光刻胶

检测方法

电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)：高灵敏度检测ppt级金属杂质

原子吸收光谱法(AAS)：测定特定金属元素的含量

电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-OES)：多元素同时分析

X射线荧光光谱法(XRF)：非破坏性快速筛查

二次离子质谱法(SIMS)：表面和深度分布分析

中子活化分析(NAA)：超高灵敏度检测

石墨炉原子吸收光谱法(GFAAS)：痕量金属检测

激光诱导击穿光谱法(LIBS)：快速原位分析

质谱联用技术(LC-MS/MS)：有机金属化合物分析

气相色谱-质谱法(GC-MS)：挥发性金属化合物检测

紫外-可见分光光度法(UV-Vis)：特定金属离子定量

电化学分析法：重金属离子检测

热重分析法(TGA)：金属杂质热行为研究

扫描电子显微镜-能谱法(SEM-EDS)：元素分布分析

透射电子显微镜(TEM)：纳米级金属颗粒观察

检测仪器

电感耦合等离子体质谱仪, 原子吸收光谱仪, 电感耦合等离子体发射光谱仪, X射线荧光光谱仪, 二次离子质谱仪, 中子活化分析仪, 石墨炉原子吸收光谱仪, 激光诱导击穿光谱仪, 液相色谱-质谱联用仪, 气相色谱-质谱联用仪, 紫外-可见分光光度计, 电化学分析仪, 热重分析仪, 扫描电子显微镜, 透射电子显微镜

北检院部分仪器展示