氧化铝二次离子质谱（SIMS）检测

信息概要

氧化铝二次离子质谱（SIMS）检测是一种高灵敏度的表面分析技术，用于测定氧化铝材料中的元素组成、杂质分布及深度剖面信息。该技术通过聚焦一次离子束轰击样品表面，溅射出二次离子并通过质谱仪进行分析，可提供纳米级分辨率的化学信息。检测氧化铝材料对于确保其在半导体、陶瓷、涂层等领域的性能至关重要，尤其是对纯度、掺杂浓度和界面特性的精确控制。通过SIMS检测，客户可获取材料的关键质量数据，优化生产工艺并满足行业标准。

检测项目

元素成分分析, 杂质含量检测, 深度剖面分析, 掺杂浓度测定, 表面污染分析, 同位素比例测定, 界面扩散研究, 薄膜厚度测量, 化学态分析, 氧空位检测, 晶界偏析分析, 氢含量测定, 碳含量检测, 氮含量检测, 硫含量检测, 金属杂质检测, 非金属杂质检测, 颗粒分布分析, 均匀性评估, 化学稳定性测试

检测范围

高纯氧化铝粉末, 氧化铝陶瓷, 氧化铝涂层, 氧化铝薄膜, 氧化铝单晶, 氧化铝多晶, 氧化铝纤维, 氧化铝基复合材料, 氧化铝催化剂, 氧化铝基板, 氧化铝磨料, 氧化铝耐火材料, 氧化铝绝缘材料, 氧化铝生物陶瓷, 氧化铝光学材料, 氧化铝半导体材料, 氧化铝纳米颗粒, 氧化铝多孔材料, 氧化铝凝胶, 氧化铝溶胶

检测方法

二次离子质谱法（SIMS）：通过一次离子束溅射样品表面，分析产生的二次离子。

静态SIMS：低剂量离子束轰击，用于表面化学态分析。

动态SIMS：高剂量离子束轰击，用于深度剖面分析。

飞行时间SIMS（TOF-SIMS）：高分辨率质谱技术，用于表面元素和分子分析。

磁扇形SIMS：高灵敏度元素分析，适用于痕量杂质检测。

四极杆SIMS：快速扫描和多元素同时分析。

离子成像SIMS：提供元素或分子在样品表面的二维分布。

深度剖析SIMS：测量元素随深度的浓度变化。

同位素比值SIMS：精确测定样品中同位素的比例。

高分辨率SIMS：用于区分质量数相近的离子。

低能SIMS：减少样品损伤，适用于有机材料分析。

高能SIMS：提高溅射产额，适用于深层分析。

簇离子SIMS：使用簇离子源增强分子离子信号。

激光后电离SIMS：通过激光后电离提高检测灵敏度。

多接收器SIMS：同时检测多个质量数，提高分析效率。

检测仪器

飞行时间二次离子质谱仪（TOF-SIMS）, 磁扇形二次离子质谱仪, 四极杆二次离子质谱仪, 离子探针显微分析仪, 纳米二次离子质谱仪（NanoSIMS）, 静态二次离子质谱仪, 动态二次离子质谱仪, 高分辨率二次离子质谱仪, 低能二次离子质谱仪, 高能二次离子质谱仪, 簇离子二次离子质谱仪, 激光后电离二次离子质谱仪, 多接收器二次离子质谱仪, 离子成像质谱仪, 深度剖析质谱仪

北检院部分仪器展示