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北检(北京)检测技术研究院(简称:北检院),依托科研测试与材料检测重点领域,结合“211工程”和“985工程”建设,面向学校和社会企业开放的仪器共享机构和跨学科检测交叉融合平台。面向企业及科研单位跨学科研究、面向社会公共服务,构建具有装备优势、人才优势和服务优势的综合科研检测服务平台。 了解更多 +
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氮化硅栅极刻蚀液 热磷酸中硅溶出量ICP-OES检测

发布时间:2025-06-26 01:34:55 点击数:0
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信息概要

氮化硅栅极刻蚀液热磷酸中硅溶出量ICP-OES检测是一项针对半导体制造过程中使用的刻蚀液的关键分析服务。该检测通过电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-OES)精确测定热磷酸刻蚀液中硅的溶出量,以确保刻蚀工艺的稳定性和产品质量。检测的重要性在于监控刻蚀液的成分变化,避免因硅溶出量异常导致的栅极结构缺陷,从而提升芯片良率与性能。

检测项目

硅溶出量, 磷酸浓度, 金属杂质含量, 颗粒物浓度, 酸度值, 氧化还原电位, 密度, 粘度, 电导率, 水分含量, 有机污染物, 无机阴离子, 总固体含量, 挥发性物质, 腐蚀性测试, 稳定性测试, 溶解速率, 温度敏感性, 批次一致性, 残留物分析

检测范围

氮化硅刻蚀液, 热磷酸刻蚀液, 半导体级刻蚀液, 高纯度刻蚀液, 酸性刻蚀液, 碱性刻蚀液, 混合型刻蚀液, 纳米级刻蚀液, 微电子刻蚀液, 光刻胶剥离液, 晶圆清洗液, 蚀刻停止液, 选择性刻蚀液, 非选择性刻蚀液, 低温刻蚀液, 高温刻蚀液, 快速刻蚀液, 慢速刻蚀液, 环保型刻蚀液, 工业级刻蚀液

检测方法

电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-OES):用于高精度测定硅及其他金属元素含量。

滴定法:测定磷酸浓度及酸度值。

重量法:分析总固体含量及颗粒物浓度。

离子色谱法:检测无机阴离子及有机污染物。

电位分析法:测量氧化还原电位及电导率。

密度计法:确定刻蚀液密度。

粘度计法:测试液体粘度。

卡尔费休法:测定水分含量。

气相色谱法:分析挥发性物质。

腐蚀性测试法:评估材料兼容性。

加速稳定性测试:验证刻蚀液储存性能。

溶解速率测试:监控刻蚀效率。

温度循环测试:评估温度敏感性。

批次对比分析:确保产品一致性。

残留物检测:通过SEM/EDS分析表面残留。

检测仪器

电感耦合等离子体发射光谱仪, 自动滴定仪, 电子天平, 离子色谱仪, 电位分析仪, 密度计, 粘度计, 卡尔费休水分测定仪, 气相色谱仪, 腐蚀性测试装置, 恒温恒湿箱, 溶解速率测试仪, 温度循环箱, 扫描电子显微镜, 能谱仪

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