MicroLED巨量转移测试是针对MicroLED显示技术中关键制程环节的检测服务,主要评估巨量转移过程中LED芯片的定位精度、转移效率及可靠性。该测试对于确保MicroLED显示屏的良率、性能及量产可行性至关重要,是推动MicroLED技术商业化落地的核心验证环节。通过第三方检测机构的专业评估,可帮助厂商优化工艺参数、降低生产成本并提升产品竞争力。
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光学显微镜检测:通过高倍显微镜观察芯片转移后的位置精度和表面缺陷。
激光位移测量:采用激光干涉仪测量芯片三维空间位置的偏移量。
电学性能测试:使用探针台检测芯片的I-V特性曲线及电学参数。
热成像分析:通过红外热像仪评估转移后芯片的散热均匀性。
机械拉力测试:采用微力传感器测量芯片与基板间的粘附强度。
环境试验箱:模拟温湿度变化测试芯片的环境稳定性。
加速老化测试:通过高温高电流加速评估芯片的寿命特性。
光谱分析:使用分光光度计测量发光波长和色度坐标。
X射线检测:非破坏性检查芯片内部结构及焊接质量。
超声波扫描:探测转移层中的气泡或分层缺陷。
共聚焦显微镜:三维形貌测量芯片表面粗糙度和台阶覆盖。
荧光显微镜:观察量子点色转换层的均匀性和失效点。
自动光学检测(AOI):高速全检芯片的排列完整性和外观缺陷。
接触角测试:评估基板表面处理对转移良率的影响。
纳米压痕测试:测量转移后芯片的机械强度变化。
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