集成电路抗辐射筛选测试

信息概要

集成电路抗辐射筛选测试是针对在辐射环境中使用的集成电路进行的专项检测，旨在评估其在辐射条件下的可靠性和稳定性。此类测试广泛应用于航空航天、核工业、军事装备等高辐射领域，确保集成电路在极端环境下仍能正常工作。检测的重要性在于避免因辐射导致的电路失效，从而保障关键设备的运行安全和数据完整性。通过抗辐射筛选测试，可以提前识别潜在缺陷，优化产品设计，提高整体系统的抗辐射能力。

检测项目

总剂量辐射效应测试,单粒子效应测试,位移损伤测试,瞬态辐射效应测试,剂量率效应测试,抗辐射加固性能测试,功能稳定性测试,电参数漂移测试,漏电流测试,噪声特性测试,功耗变化测试,信号完整性测试,时序特性测试,抗干扰能力测试,封装密封性测试,材料耐辐射性测试,热稳定性测试,寿命加速老化测试,失效模式分析,辐射环境模拟测试

检测范围

抗辐射微处理器,抗辐射存储器,抗辐射FPGA,抗辐射ADC/DAC,抗辐射电源管理IC,抗辐射传感器接口IC,抗辐射通信IC,抗辐射驱动IC,抗辐射放大器,抗辐射比较器,抗辐射振荡器,抗辐射滤波器,抗辐射逻辑IC,抗辐射射频IC,抗辐射光电IC,抗辐射混合信号IC,抗辐射数字信号处理器,抗辐射模拟前端IC,抗辐射电压基准IC,抗辐射隔离器

检测方法

γ射线辐照试验：使用钴-60源模拟空间辐射环境，评估器件的总剂量效应。

重离子加速器测试：通过重离子束照射，检测单粒子效应敏感性。

质子辐照测试：模拟太空质子辐射环境，评估位移损伤效应。

X射线辐照测试：采用X射线源进行快速剂量累积测试。

激光模拟单粒子效应：利用激光脉冲模拟单粒子瞬态效应。

高温反偏测试：在高温和反向偏压条件下评估辐射损伤。

电参数测试：辐射前后关键电参数的对比分析。

功能验证测试：辐射环境下的功能正确性验证。

加速老化试验：结合辐射与温度应力进行加速寿命测试。

失效分析：通过显微技术分析辐射导致的物理损伤。

噪声测量：辐射引起的噪声特性变化检测。

信号完整性分析：辐射对信号传输质量的影响评估。

热特性测试：辐射条件下器件的热稳定性监测。

封装完整性检测：辐射对封装材料的渗透性测试。

剂量率效应测试：不同剂量率下的性能响应分析。

检测仪器

钴-60辐照源,重离子加速器,质子加速器,X射线辐照装置,激光单粒子效应模拟系统,高低温试验箱,半导体参数分析仪,逻辑分析仪,示波器,频谱分析仪,噪声测试系统,信号完整性测试仪,热成像仪,密封性测试仪,辐射剂量计

北检院部分仪器展示