X射线照相检测
CNAS认证
CMA认证
检测样品
电子元器件电子元器件及设备（物理性能）元器件筛选半导体集成电路（失效分析）半导体集成电路集成电路混合集成电路
实验周期
7-15个工作日，加急实验一般5个工作日
检测项目
X射线照相X射线照相检验
检测标准
半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法2076
电子及电气元件试验方法 GJB 360A-1996 方法209
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法2076
电子及电气元件试验方法 GJB360B-2009 方法209
半导体分立器件试验方法 GJB128A-97 2076
微电子器件试验方法和程序 GJB 548A-1996 方法2012A
微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 2012.1
微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 方法2012.1
合格制造厂认证用半导体集成电路通用规范 GJB7400-2011 4.4鉴定检验
电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 方法209
半导体集成电路失效分析程序和方法 GJB 3233-1998 5.2.4
电子及电气元件试验方法 MIL-STD-202H:2015 209
微电路试验标准方法 MIL-STD-883K:2016 2012.9
微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法2012.1
微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法2012
半导体分立器件试验方法标准方法 MIL-STD-750E:2006 2076.3
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006
电子及电气元件试验方法 GJB360B-2009 209
半导体分立器件试验方法 GJB128A-97 方法2076
混合集成电路通用规范 GJB 2438B-2017 表C.9
半导体集成电路总规范 GJB597B-2012 附录B
电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 方法209
以上标准仅供参考，如有其他标准需求或者实验方案需求可以咨询工程师
