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北检(北京)检测技术研究院(简称:北检院),依托科研测试与材料检测重点领域,结合“211工程”和“985工程”建设,面向学校和社会企业开放的仪器共享机构和跨学科检测交叉融合平台。面向企业及科研单位跨学科研究、面向社会公共服务,构建具有装备优势、人才优势和服务优势的综合科研检测服务平台。 了解更多 +
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集电极-发射极饱和电压检测

发布时间:2023-07-25 12:36:36 点击数:0
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检测样品

绝缘栅双极型晶体管半导体光电耦合器半导体分立器件和集成电路光电子器件光电耦合器光电子器件双极型晶体管光耦合器绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管(IGBT)

实验周期

7-15个工作日,加急实验一般5个工作日

检测项目

集电极-发射极饱和电压集电极-发射极饱和电压 VCE(sat)集电极-发射极饱和电压 VCE(sat)集电极-发射极饱和电压VCESat集电极-发射极饱和电压VCEsat

检测标准

半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012 6.3.2

半导体光电耦合器测试方法 SJ/T 2215-2015 5.7

半导体光电耦合器测试方法 SJ/T2215-2015 方法5.7

半导体光电耦合器测试方法 SJ/T2215-2015 5.7

半导体器件光电子器件分规范 GB/T 12565-1990 附录D 表D2 光耦合器

半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T 4587-1994/IEC 747-7-1988 第IV章 第1节4

半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T 4587-1994 第Ⅳ章第1节4.1

半导体器件分立器件第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012 6.3.2

半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T 4587-1994 Ⅳ.1.4

半导体器件分立器件 第5部分 光电子器件 GB/T15651-1995 第Ⅳ章 第3节

半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管 GB/T 4587-1994 第IV第1节4

半导体分立器件和集成电路 第5-3部分:光电子器件 测试方法 GB/T 15651.3-2003 5.6.1

半导体器件光电子器件分规范 GB 12565-1990 表D2

半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T4587-1994 /第Ⅳ篇第1节4

半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012 6.3.2

半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T 4587-1994 第Ⅳ章第1节4

《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》 GB/T4587-1994 第Ⅳ章第1节4

半导体器件分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012 6.3.2

半导体分立器件和集成电路第5-3部分:光电子器件测试方法 GB/T 15651.3-2003 4.3

《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》 GB/T 4587-1994 第IV章 第1节第4条

半导体光电耦合器测试方法 SJ/T 2215-2015 5.7节

以上标准仅供参考,如有其他标准需求或者实验方案需求可以咨询工程师

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