机构简介
北检(北京)检测技术研究院(简称：北检院)，依托科研测试与材料检测重点领域，结合“211工程”和“985工程”建设，面向学校和社会企业开放的仪器共享机构和跨学科检测交叉融合平台。面向企业及科研单位跨学科研究、面向社会公共服务，构建具有装备优势、人才优势和服务优势的综合科研检测服务平台。 了解更多 +
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性能测试

内部目检检测

发布时间：2023-07-25 15:22:23 点击数：0
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检测样品

固体继电器通用电子元器件（破坏性物理分析）电子元器件集成电路电子元器件及设备（物理性能）晶体管半导体集成电路电阻器半导体分立器件微电子器件DPA分析固体继电器(0702)声表面波滤波器微电子器件混合集成电路晶体振荡器(0902)表面安装和外引线同向引出晶体管、二极管1003单片集成电路

实验周期

7-15个工作日，加急实验一般5个工作日

检测项目

内部目检内部目检（混合电路）晶体管内部目检（封帽前）破坏性物理分析内部目检内部目检和结构检查晶体管内部目检(封帽前)内部目检（单片）内部目检及形貌分析内部目检与结构

检测标准

军用电子元器件筛选技术要求 GJB 7243-2011 12.4

半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法2069、2070、2072、2073、2074或2075

微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法2017.1

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006

微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法2017

半导体分立器件试验方法 GJB128A-97 2072

半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法2070

半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法2074

微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法2013

微电子器件试验方法和程序 GJB 548A-1996 方法2010A、2013、2014或2017A

《半导体分立器件试验方法》 GJB 128A-1997 /方法2069、2070、2072～2075

微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 方法2010.1、2013、2014或2017.1

微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 2013

半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法2073

《微电子器件试验方法和程序》 GJB 548B-2005 /方法2010.1、2013、2014、2017.1、2032

微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法2010.1

微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法2014

半导体分立器件试验方法标准方法 MIL-STD-750E:2006 2072.6

军用电子元器件筛选技术要求 GJB 7243-2011 15.3

半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法2075

合格制造厂认证用半导体集成电路通用规范 GJB7400-2011 4.4鉴定检验

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027-2000 0101

《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB 4027A-2006 工作项目1101 密封半导体集成电路

半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法2072

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB 4027A-2006 工作项目0101-2.4、0102-2.4、0105-2.4、0106-2.6、0107-2.3、0108-2.3、0201-2.4、0202-2.4、0203-2.4、0204-2.5、0205-2.4、0206-2.4、0207-2.5、0209-2.4、0210-2.3、0301-2.3、0311-2.3、0501-2.5、0701-2.6、0702-2.7、0703-2.5、0901-2.7、0902-2.6、1001-2.4、1002-2.8、1003-2.8、1101-2.7、1102-2.7、1103-2.5、1201-2.7、1202-2.7、1301-2.7、1403-1.4

微电路试验标准方法 MIL-STD-883K:2016 2010.14

《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB 4027A-2006 工作项目0204 金属化塑料膜介质电容器

微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法2010.1、方法2013、方法2017.1

《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB 4027A-2006 工作项目0902 晶体振荡器

微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法2010

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 2.7

军用电子元器件筛选技术要求 GJB 7243-2011 8.5

微电路试验标准方法 MIL-STD-883K:2016 2017.11

微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法2032

半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法2069

半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法2069，\u003cbr\u003e方法2070，\u003cbr\u003e方法2072，\u003cbr\u003e方法2073，\u003cbr\u003e方法2074，\u003cbr\u003e方法2075

微电路试验标准方法 MIL-STD-883K:2016 2013.1

微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法2017方法2032

《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB 4027A-2006 工作项目0102 金属萡固定电阻器

半导体集成电路总规范 GJB597B-2012 附录B

半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法2069、方法2070、方法2072、方法2074

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 工作项目1101 2.7、1102 2.7、1103 2.5、1001 2.4、1002 2.8、1003 2.8

《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB 4027A-2006 工作项目1001 无键合引线轴向引线玻璃外壳和玻璃钝化封装二极管

微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 方法2010.1，方法2013方法2014方法2017.1

混合集成电路通用规范 GJB 2438B-2017 表C.9

电子、电磁和机电元器件破坏性物理分析 MIL-STD-1580B:2003 12.1.1.7 16.1.1.6\u003cbr\u003e16.5.1.6\u003cbr\u003e21.1.1.8

《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB 4027A-2006 工作项目1201 光耦合器

《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB 4027A-2006 工作项目1502 玻璃和陶瓷基片型熔断器

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 2.6

《半导体分立器件失效分析方法和程序》 GJB 3157-1998 方法3002

《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB 4027A-2006 工作项目0901 石英晶体元件

《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB 4027A-2006 工作项目1103 塑封半导体集成电路

半导体器件 集成电路 第11部分:半导体集成电路分规范(不包括混合电路) GB/T 12750-2006 IEC 60748-11:1990 7 表5 C11

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 2.8

《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB 4027A-2006 工作项目0702 固体继电器

微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 2010.1

《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB 4027A-2006 工作项目0201 圆片瓷介电容器

半导体分立器件试验方法 GJB128A-97 方法2072方法2073方法2074

《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB 4027A-2006 工作项目0101 金属膜固定电阻器

《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB 4027A-2006 工作项目1202 半导体光电模块

军用电子元器件筛选技术要求 GJB 7243-2011 16.2

半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法2069、2070、2072、2073、2074或2075

以上标准仅供参考，如有其他标准需求或者实验方案需求可以咨询工程师

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