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北检(北京)检测技术研究院(简称：北检院)，依托科研测试与材料检测重点领域，结合“211工程”和“985工程”建设，面向学校和社会企业开放的仪器共享机构和跨学科检测交叉融合平台。面向企业及科研单位跨学科研究、面向社会公共服务，构建具有装备优势、人才优势和服务优势的综合科研检测服务平台。 了解更多 +
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绝缘栅双极晶体管(IGBT)检测

发布时间：2023-05-11 18:55:18 点击数：
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检测样品

绝缘栅双极晶体管(IGBT)绝缘栅双极晶体管

实验周期

7-15个工作日，加急实验一般5个工作日

检测项目

结－壳热阻栅极电荷栅极漏电流栅极－发射极阈值电压高温阻断高温阻断（HTRB）集电极截止电流集电极－发射极短路时的栅极－发射极电压集电极－发射极饱和电压高温栅极偏置间歇工作寿命（负载循环）最大短路安全工作区2集电极-发射极饱和电压最大集电极电流输出电容集电极－发射极电压最大反偏安全工作区栅极-发射极阈值电压反向传输电容开通期间的各时间间隔（td(on)、tr、ton）和开通能量Eon栅极内阻稳态湿热偏置寿命最大集电极峰值电流最大短路安全工作区1关断期间的各时间间隔（td(off)、tf、toff、tz）和关断能量Eoff集电极-发射极击穿电压输入电容

检测标准

半导体器件分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012 6.3.13.1

半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.9

半导体器件分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012 6.3.5

半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.3

半导体器件分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012 7.2.5.1

半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 7.2.5.1

半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.4

半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.2

半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.2

半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012 6.3.5

半导体器件分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012 7.2.5.2

半导体器件 第9部分：分立器件 绝缘栅双极晶体管(IGBTs) IEC 60747-9 Edition 3.0 :2019 7.2.5.2

半导体器件分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012 7.2.5.3

半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.6.3

半导体器件分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012 6.3.2

半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 7.2.5.2

半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.3

半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.7

半导体器件 第9部分：分立器件 绝缘栅双极晶体管(IGBTs) IEC 60747-9 Edition 3.0 :2019 7.2.5.3

半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.1

半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012 6.3.4

半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.5

半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012 6.3.2

半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012 6.3.3

半导体器件分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012 6.3.3

半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 7.2.5.3

半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.8

半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.11

半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.10

半导体器件机械和气候试验方法 第5部分：稳态湿热偏置寿命试验 IEC 60749-5:2017

半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.4

半导体器件 第9部分：分立器件 绝缘栅双极晶体管(IGBTs) IEC 60747-9 Edition 3.0 :2019 7.2.5.1

半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.6.2

半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.5

半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.12

半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 附录A

半导体器件分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012 6.3.4

半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.6

以上标准仅供参考，如有其他标准需求或者实验方案需求可以咨询工程师

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