电子级多晶硅-电阻率测定

信息概要

电子级多晶硅是半导体和光伏产业的核心原材料，其电阻率是衡量材料纯度和电学性能的关键指标。电阻率测定对于确保电子级多晶硅的质量、性能及后续加工适用性至关重要。第三方检测机构通过专业检测服务，为客户提供准确、可靠的电阻率数据，帮助优化生产工艺、提升产品竞争力，并满足行业标准及客户需求。

检测项目

电阻率, 载流子浓度, 少数载流子寿命, 杂质含量, 氧含量, 碳含量, 氮含量, 金属杂质浓度, 晶体缺陷密度, 表面粗糙度, 晶向偏差, 电导率, 霍尔系数, 迁移率, 击穿电压, 介电常数, 热稳定性, 光学均匀性, 应力分布, 腐蚀速率

检测范围

太阳能级多晶硅, 半导体级多晶硅, 高纯多晶硅, 区熔多晶硅, 直拉多晶硅, 颗粒多晶硅, 块状多晶硅, 带状多晶硅, 掺杂多晶硅, 未掺杂多晶硅, 电子级硅锭, 电子级硅棒, 电子级硅片, 回收多晶硅, 冶金级多晶硅, 化学气相沉积多晶硅, 流化床法多晶硅, 西门子法多晶硅, 硅烷法多晶硅, 改良西门子法多晶硅

检测方法

四探针法：通过四探针接触样品表面测量电阻率，适用于块状和片状材料。

霍尔效应测试：利用霍尔电压计算载流子浓度和迁移率。

热探针法：通过温差电动势测定半导体导电类型及电阻率。

微波光电导衰减法：测量少数载流子寿命。

二次离子质谱法：分析痕量杂质元素含量。

傅里叶变换红外光谱法：测定氧、碳等轻元素浓度。

X射线衍射法：分析晶体结构及晶向。

原子力显微镜：表征表面形貌和粗糙度。

扫描电子显微镜：观察微观缺陷和杂质分布。

辉光放电质谱法：检测金属杂质含量。

电感耦合等离子体质谱法：高灵敏度测定痕量元素。

电阻率映射技术：全场扫描获取电阻率分布。

热激发电流法：研究深能级缺陷。

电容-电压法：测定载流子浓度分布。

椭偏仪：测量薄膜厚度和光学常数。

检测仪器

四探针电阻率测试仪, 霍尔效应测量系统, 热探针仪, 微波光电导衰减测试仪, 二次离子质谱仪, 傅里叶变换红外光谱仪, X射线衍射仪, 原子力显微镜, 扫描电子显微镜, 辉光放电质谱仪, 电感耦合等离子体质谱仪, 电阻率映射系统, 热激发电流测试仪, 电容-电压测试仪, 椭偏仪

北检院部分仪器展示