单晶硅棒-氧碳含量检测

信息概要

单晶硅棒是光伏和半导体行业的关键原材料，其氧碳含量直接影响产品的电学性能和机械强度。第三方检测机构提供专业的氧碳含量检测服务，确保单晶硅棒的质量符合行业标准。检测的重要性在于：氧碳杂质可能导致晶格缺陷，降低硅棒的电导率和寿命，进而影响最终产品的性能和可靠性。通过精准检测，可优化生产工艺，提高产品良率，满足下游应用需求。

检测项目

氧含量, 碳含量, 氮含量, 氢含量, 金属杂质含量, 电阻率, 少数载流子寿命, 晶格缺陷密度, 位错密度, 表面粗糙度, 晶体取向, 直径偏差, 长度偏差, 弯曲度, 翘曲度, 体密度, 孔隙率, 热稳定性, 机械强度, 光学均匀性

检测范围

光伏级单晶硅棒, 半导体级单晶硅棒, N型单晶硅棒, P型单晶硅棒, 掺硼单晶硅棒, 掺磷单晶硅棒, 掺镓单晶硅棒, 掺锑单晶硅棒, 掺砷单晶硅棒, 掺铝单晶硅棒, 掺铟单晶硅棒, 掺锡单晶硅棒, 掺硫单晶硅棒, 掺硒单晶硅棒, 掺碲单晶硅棒, 掺锌单晶硅棒, 掺铜单晶硅棒, 掺金单晶硅棒, 掺银单晶硅棒, 掺铁单晶硅棒

检测方法

傅里叶变换红外光谱法（FTIR）：通过红外吸收光谱测定氧碳含量。

二次离子质谱法（SIMS）：高灵敏度分析表面和体相杂质分布。

气相色谱法（GC）：分离并定量检测挥发性杂质。

电感耦合等离子体质谱法（ICP-MS）：测定痕量金属杂质含量。

四探针电阻率测试法：测量硅棒的电阻率分布。

微波光电导衰减法（μ-PCD）：评估少数载流子寿命。

X射线衍射法（XRD）：分析晶体结构和取向。

扫描电子显微镜（SEM）：观察表面形貌和缺陷。

原子力显微镜（AFM）：纳米级表面粗糙度测量。

热重分析法（TGA）：评估材料的热稳定性。

激光散射法：检测颗粒和孔隙分布。

紫外-可见分光光度法（UV-Vis）：测定光学均匀性。

力学性能测试：评估抗弯强度和硬度。

辉光放电质谱法（GDMS）：深度分析体相杂质。

拉曼光谱法：研究晶格振动和应力分布。

检测仪器

傅里叶变换红外光谱仪, 二次离子质谱仪, 气相色谱仪, 电感耦合等离子体质谱仪, 四探针电阻率测试仪, 微波光电导衰减测试仪, X射线衍射仪, 扫描电子显微镜, 原子力显微镜, 热重分析仪, 激光散射仪, 紫外-可见分光光度计, 力学性能测试机, 辉光放电质谱仪, 拉曼光谱仪

北检院部分仪器展示