碳化硅晶圆-微管密度测定

信息概要

碳化硅晶圆-微管密度测定是评估碳化硅晶圆质量的关键项目之一。微管密度直接影响晶圆的电学性能和可靠性，尤其在高压、高温和高频应用中至关重要。第三方检测机构通过专业设备和方法，精确测定微管密度，确保晶圆符合行业标准及客户要求。检测不仅有助于优化生产工艺，还能为下游应用提供可靠的材料保障。

检测项目

微管密度, 表面缺陷密度, 晶体取向, 电阻率, 载流子浓度, 位错密度, 晶圆厚度, 表面粗糙度, 弯曲度, 翘曲度, 晶格常数, 杂质含量, 光学均匀性, 热导率, 击穿电压, 介电常数, 表面氧化层厚度, 边缘缺陷, 晶圆直径, 表面形貌

检测范围

4H-SiC晶圆, 6H-SiC晶圆, 半绝缘SiC晶圆, N型SiC晶圆, P型SiC晶圆, 单晶SiC晶圆, 多晶SiC晶圆, 抛光SiC晶圆, 外延SiC晶圆, 衬底SiC晶圆, 高纯SiC晶圆, 掺杂SiC晶圆, 大尺寸SiC晶圆, 小尺寸SiC晶圆, 薄片SiC晶圆, 厚片SiC晶圆, 切割SiC晶圆, 研磨SiC晶圆, 蚀刻SiC晶圆, 涂层SiC晶圆

检测方法

X射线衍射法（用于分析晶体结构和取向）

光学显微镜法（观察表面缺陷和微管分布）

扫描电子显微镜法（高分辨率表面形貌分析）

原子力显微镜法（纳米级表面粗糙度测量）

霍尔效应测试法（测定载流子浓度和电阻率）

傅里叶变换红外光谱法（分析杂质和化学组成）

拉曼光谱法（评估晶体质量和应力分布）

四探针法（测量薄层电阻）

热导率测试法（评估材料热性能）

电容-电压法（测定介电常数和载流子分布）

光致发光光谱法（检测缺陷和能带结构）

椭偏仪法（测量表面氧化层厚度）

轮廓仪法（评估晶圆平整度和弯曲度）

激光散射法（检测表面颗粒和缺陷）

化学腐蚀法（揭示位错和微管密度）

检测仪器

X射线衍射仪, 光学显微镜, 扫描电子显微镜, 原子力显微镜, 霍尔效应测试仪, 傅里叶变换红外光谱仪, 拉曼光谱仪, 四探针测试仪, 热导率测试仪, 电容-电压测试仪, 光致发光光谱仪, 椭偏仪, 轮廓仪, 激光散射仪, 化学腐蚀设备

北检院部分仪器展示