氮化镓外延片-二维电子气浓度检测

信息概要

氮化镓外延片-二维电子气浓度检测是评估氮化镓（GaN）材料性能的关键项目之一。二维电子气（2DEG）浓度直接影响GaN基器件的电学性能和可靠性，尤其在高压、高频应用中至关重要。通过第三方检测机构的专业服务，可以准确测定2DEG浓度，为材料研发、生产工艺优化及产品质量控制提供科学依据。检测的重要性在于确保GaN外延片满足半导体器件（如HEMT、功率器件等）的性能要求，同时帮助客户规避因材料缺陷导致的产品失效风险。

检测项目

二维电子气浓度, 载流子迁移率, 薄层电阻, 表面粗糙度, 晶体缺陷密度, 外延层厚度, 掺杂浓度, 界面态密度, 能带偏移量, 应力分布, 光学性能, 电学均匀性, 热稳定性, 化学组分分析, 霍尔效应参数, 击穿电压, 漏电流, 陷阱能级, 表面电势, 极化效应

检测范围

硅基氮化镓外延片, 碳化硅基氮化镓外延片, 蓝宝石基氮化镓外延片, 单晶氮化镓衬底, 异质结外延片, 高电子迁移率晶体管（HEMT）结构, 功率器件用外延片, 射频器件用外延片, 光电器件用外延片, 掺杂型氮化镓外延片, 非故意掺杂型氮化镓外延片, 缓冲层外延片, 超晶格外延片, 量子阱结构外延片, 极化调控外延片, 低缺陷密度外延片, 高阻外延片, 半绝缘外延片, 纳米线外延片, 多层异质结构外延片

检测方法

霍尔效应测试法：通过测量电压和磁场关系计算载流子浓度和迁移率。

范德堡法：用于薄层电阻的精确测定，消除接触电阻影响。

原子力显微镜（AFM）：分析表面形貌和粗糙度。

X射线衍射（XRD）：检测晶体结构、应力及缺陷密度。

二次离子质谱（SIMS）：深度剖析化学组分和掺杂分布。

光致发光光谱（PL）：评估材料光学性能及能带特性。

电容-电压（C-V）测试：测定载流子浓度分布及界面态密度。

透射电子显微镜（TEM）：观察微观结构及缺陷。

扫描电子显微镜（SEM）：表面形貌及厚度测量。

拉曼光谱：分析应力状态和晶体质量。

椭圆偏振光谱：测定外延层厚度和光学常数。

深能级瞬态谱（DLTS）：识别陷阱能级和浓度。

四探针法：快速测量薄层电阻。

热激发电流（TSC）：研究陷阱特性。

微波反射法：非接触式载流子浓度测量。

检测仪器

霍尔效应测试仪, 原子力显微镜, X射线衍射仪, 二次离子质谱仪, 光致发光光谱仪, 电容-电压测试系统, 透射电子显微镜, 扫描电子显微镜, 拉曼光谱仪, 椭圆偏振仪, 深能级瞬态谱仪, 四探针测试仪, 热激发电流测试系统, 微波反射计, 薄层电阻测量仪

北检院部分仪器展示