硅衬底片少子寿命微波光电导衰减（μ-PCD）

信息概要

硅衬底片少子寿命微波光电导衰减（μ-PCD）是一种用于测量半导体材料中少数载流子寿命的关键技术，广泛应用于光伏、集成电路等领域。该技术通过微波光电导衰减法非接触式测量少子寿命，能够快速、准确地评估硅衬底片的材料质量。检测少子寿命对于优化生产工艺、提高器件性能以及确保产品可靠性具有重要意义，是半导体材料质量控制的重要环节。

检测项目

少子寿命，表面复合速率，体复合速率，载流子扩散长度，缺陷密度，氧含量，碳含量，掺杂浓度，电阻率，载流子迁移率，光生载流子浓度，陷阱能级，非平衡载流子衰减时间，晶格完整性，表面粗糙度，热处理效果，杂质浓度，晶界效应，位错密度，光致发光强度

检测范围

单晶硅衬底片，多晶硅衬底片，N型硅衬底片，P型硅衬底片，太阳能级硅片，集成电路级硅片，抛光硅片，研磨硅片，外延硅片，SOI硅片，重掺杂硅片，轻掺杂硅片，高阻硅片，低阻硅片，薄硅片，厚硅片，退火硅片，离子注入硅片，扩散硅片， epitaxial硅片

检测方法

微波光电导衰减法（μ-PCD）：通过微波反射信号测量少子寿命的非接触式方法。

表面光电压法（SPV）：利用表面光电压信号分析少子寿命和表面复合速率。

瞬态光电导法（TRPC）：通过瞬态光电导信号测量载流子寿命。

深能级瞬态谱（DLTS）：用于检测材料中的深能级缺陷。

四探针法：测量硅片的电阻率和载流子浓度。

霍尔效应测试：确定载流子迁移率和浓度。

傅里叶变换红外光谱（FTIR）：分析硅片中的氧、碳含量。

X射线衍射（XRD）：评估晶格完整性和晶体取向。

原子力显微镜（AFM）：测量表面粗糙度和形貌。

扫描电子显微镜（SEM）：观察表面和截面微观结构。

光致发光光谱（PL）：检测材料的光学性能和缺陷。

二次离子质谱（SIMS）：分析杂质分布和浓度。

热波法（Thermal Wave）：评估材料的热学性能和缺陷。

椭偏仪：测量薄膜厚度和光学常数。

拉曼光谱：分析材料的应力状态和晶体质量。

检测仪器

微波光电导衰减测试仪，表面光电压测试仪，瞬态光电导测试仪，深能级瞬态谱仪，四探针测试仪，霍尔效应测试仪，傅里叶变换红外光谱仪，X射线衍射仪，原子力显微镜，扫描电子显微镜，光致发光光谱仪，二次离子质谱仪，热波分析仪，椭偏仪，拉曼光谱仪

北检院部分仪器展示