DDR自刷新内存维持实验,检测中心-北检（北京）检测技术研究院

信息概要

DDR自刷新内存维持实验是针对动态随机存取存储器（DRAM）在自刷新模式下数据保持能力的专项检测。该实验通过模拟内存模块在低功耗状态下的数据稳定性，评估其可靠性和耐久性。检测的重要性在于确保内存产品在长时间待机或低功耗场景下仍能维持数据完整性，避免因刷新失效导致的数据丢失，广泛应用于消费电子、工业控制、服务器等领域。此项检测可为厂商提供质量验证依据，并为终端用户保障产品性能。

检测项目

自刷新电流测试，数据保持时间测试，温度稳定性测试，电压波动耐受性测试，频率响应测试，信号完整性测试，功耗效率测试，刷新周期准确性测试，误码率测试，时序参数测试，噪声干扰测试，老化寿命测试，封装热阻测试，电磁兼容性测试，工作温度范围测试，湿度适应性测试，振动耐受测试，冲击可靠性测试，长期存储稳定性测试，失效模式分析

检测范围

DDR2 SDRAM，DDR3 SDRAM，DDR4 SDRAM，DDR5 SDRAM，LPDDR，LPDDR2，LPDDR3，LPDDR4，LPDDR5，GDDR5，GDDR6，HBM，HBM2，HBM2E，HBM3，RLDRAM，Mobile DDR，ECC DDR，Registered DDR，SODIMM DDR