多晶硅-少子寿命测定

信息概要

多晶硅-少子寿命测定是评估多晶硅材料质量的关键指标之一，主要用于太阳能电池、半导体器件等领域。少子寿命直接反映了材料的纯度和缺陷密度，对器件的性能和效率具有重要影响。通过第三方检测机构的专业测定，可以确保多晶硅材料符合行业标准和技术要求，为生产高质量的光伏产品和电子器件提供可靠的数据支持。检测的重要性在于帮助生产企业优化工艺、提高产品良率，同时为下游用户提供质量保障。

检测项目

少子寿命，电阻率，载流子浓度，缺陷密度，氧含量，碳含量，氮含量，重金属杂质浓度，晶界分布，位错密度，表面复合速率，体复合速率，光致发光强度，电致发光强度，霍尔系数，迁移率，少数载流子扩散长度，多数载流子扩散长度，掺杂均匀性，热稳定性

检测范围

太阳能级多晶硅，电子级多晶硅，铸造多晶硅，直拉多晶硅，区熔多晶硅，掺硼多晶硅，掺磷多晶硅，掺镓多晶硅，掺砷多晶硅，掺锑多晶硅，高纯多晶硅，冶金级多晶硅，颗粒多晶硅，带状多晶硅，薄膜多晶硅，纳米多晶硅，多晶硅锭，多晶硅片，多晶硅粉，多晶硅靶材

检测方法

微波光电导衰减法（μ-PCD）：通过微波探测光生载流子的衰减过程测定少子寿命。

表面光电压法（SPV）：利用表面光电压信号间接计算少子寿命。

准稳态光电导法（QSSPC）：通过准稳态光电流测量少子寿命。

红外光谱法（FTIR）：测定多晶硅中的氧、碳等杂质含量。

二次离子质谱法（SIMS）：分析多晶硅中的痕量杂质分布。

四探针法：测量多晶硅的电阻率。

霍尔效应测试：确定载流子浓度和迁移率。

光致发光光谱（PL）：通过发光强度评估材料缺陷。

电致发光光谱（EL）：分析器件中的载流子复合行为。

X射线衍射（XRD）：测定多晶硅的晶体结构和取向。

扫描电子显微镜（SEM）：观察多晶硅的表面形貌和缺陷。

透射电子显微镜（TEM）：分析多晶硅的微观结构和晶界特性。

原子力显微镜（AFM）：测量多晶硅表面的粗糙度和形貌。

热导率测试：评估多晶硅的热学性能。

化学腐蚀法：通过腐蚀速率定性分析缺陷密度。

检测仪器

微波光电导衰减仪，表面光电压测试仪，准稳态光电导测试仪，傅里叶变换红外光谱仪，二次离子质谱仪，四探针电阻率测试仪，霍尔效应测试系统，光致发光光谱仪，电致发光光谱仪，X射线衍射仪，扫描电子显微镜，透射电子显微镜，原子力显微镜，热导率测试仪，化学腐蚀设备

北检院部分仪器展示