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北检(北京)检测技术研究院(简称：北检院)，依托科研测试与材料检测重点领域，结合“211工程”和“985工程”建设，面向学校和社会企业开放的仪器共享机构和跨学科检测交叉融合平台。面向企业及科研单位跨学科研究、面向社会公共服务，构建具有装备优势、人才优势和服务优势的综合科研检测服务平台。 了解更多 +
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检测标准

GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定　直排四探针法

发布时间：2023-01-30 22:04:26 点击数：
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标准号： GB/T 14141-2009

标准名称： 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定　直排四探针法

英文名称：Test method for sheet resistance of silicon epitaxial,diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array

标准状态：现行

发布日期： 2009-10-30

实施日期： 2010-06-01

出版语种：中文简体

替代标准：GB/T 14141-1993

引用标准：GB/T 1552,GB/T 11073

提出部门：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)

发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会

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