氧化层缺陷导电原子力显微镜（CAFM）

信息概要

氧化层缺陷导电原子力显微镜（CAFM）是一种高分辨率的纳米级检测技术，主要用于分析材料表面氧化层的导电性能和缺陷分布。该技术通过探针与样品表面的接触，测量局部电流和电压特性，从而识别氧化层中的微观缺陷、漏电通道和导电不均匀性。检测氧化层缺陷对于半导体器件、集成电路、薄膜材料等的可靠性评估至关重要，能够帮助优化生产工艺，提高产品性能和寿命。

检测项目

氧化层厚度，缺陷密度，漏电流分布，局部导电性，击穿电压，界面态密度，陷阱电荷，能带结构，表面电势，载流子迁移率，缺陷尺寸，缺陷类型，氧化层均匀性，应力分布，界面粗糙度，缺陷激活能，介电常数，缺陷位置，缺陷浓度，缺陷形成机制

检测范围

半导体氧化层，集成电路栅氧化层，高介电常数薄膜，低介电常数薄膜，金属氧化物薄膜，氮化硅薄膜，钝化层，绝缘层，介电层，透明导电薄膜，有机半导体薄膜，钙钛矿材料，二维材料氧化层，纳米颗粒氧化层，聚合物薄膜，生物材料氧化层，陶瓷氧化层， MEMS器件氧化层，太阳能电池氧化层，传感器氧化层

检测方法

导电原子力显微镜（CAFM）：通过探针接触样品表面，测量局部电流和电压特性。

扫描开尔文探针显微镜（SKPM）：测量表面电势分布，分析氧化层缺陷的电荷状态。

深能级瞬态谱（DLTS）：分析氧化层中的陷阱电荷和能级分布。

电容-电压（C-V）测试：评估氧化层的介电性能和界面态密度。

电流-电压（I-V）测试：测量氧化层的导电性和击穿特性。

扫描隧道显微镜（STM）：高分辨率成像氧化层表面形貌和缺陷。

光致发光谱（PL）：分析氧化层中的缺陷发光特性。

X射线光电子能谱（XPS）：测定氧化层的化学组成和价态。

二次离子质谱（SIMS）：分析氧化层中的杂质分布和浓度。

椭偏仪（Ellipsometry）：测量氧化层的厚度和光学常数。

原子力显微镜（AFM）：高分辨率成像氧化层表面形貌和粗糙度。

透射电子显微镜（TEM）：观察氧化层的微观结构和缺陷。

拉曼光谱（Raman）：分析氧化层的应力分布和晶格振动。

热激电流（TSC）：测量氧化层中的陷阱电荷和激活能。

电子顺磁共振（EPR）：检测氧化层中的未配对电子和缺陷类型。

检测仪器

导电原子力显微镜（CAFM），扫描开尔文探针显微镜（SKPM），深能级瞬态谱仪（DLTS），电容-电压测试仪（C-V），电流-电压测试仪（I-V），扫描隧道显微镜（STM），光致发光谱仪（PL），X射线光电子能谱仪（XPS），二次离子质谱仪（SIMS），椭偏仪（Ellipsometry），原子力显微镜（AFM），透射电子显微镜（TEM），拉曼光谱仪（Raman），热激电流测试仪（TSC），电子顺磁共振仪（EPR）

北检院部分仪器展示