高纯硅烷-金属杂质含量检测

信息概要

高纯硅烷是一种广泛应用于半导体、光伏和电子工业的关键材料，其金属杂质含量直接影响产品的性能和可靠性。第三方检测机构提供的高纯硅烷-金属杂质含量检测服务，能够准确分析硅烷中微量金属元素的浓度，确保其符合行业标准及客户要求。检测的重要性在于，金属杂质可能导致半导体器件失效、降低光伏电池效率，甚至影响生产工艺的稳定性。通过严格的检测，可以优化生产工艺，提高产品质量，满足高端应用的需求。

检测项目

钠(Na), 钾(K), 钙(Ca), 镁(Mg), 铁(Fe), 铜(Cu), 锌(Zn), 镍(Ni), 铬(Cr), 铝(Al), 锰(Mn), 钴(Co), 铅(Pb), 镉(Cd), 砷(As), 银(Ag), 金(Au), 钛(Ti), 钒(V), 钼(Mo)

检测范围

电子级硅烷, 光伏级硅烷, 半导体级硅烷, 超高纯硅烷, 工业级硅烷, 医用级硅烷, 科研用硅烷, 太阳能电池用硅烷, 集成电路用硅烷, 光电子器件用硅烷, 纳米材料合成用硅烷, 化学气相沉积用硅烷, 外延生长用硅烷, 掺杂用硅烷, 蚀刻用硅烷, 薄膜沉积用硅烷, 封装用硅烷, 显示面板用硅烷, 传感器用硅烷, 光学涂层用硅烷

检测方法

电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)：高灵敏度检测痕量金属元素。

原子吸收光谱法(AAS)：测定特定金属元素的浓度。

电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-OES)：快速多元素分析。

气相色谱-质谱联用法(GC-MS)：检测挥发性金属化合物。

离子色谱法(IC)：分析阴离子和阳离子杂质。

X射线荧光光谱法(XRF)：非破坏性元素分析。

中子活化分析(NAA)：高精度检测超痕量元素。

激光诱导击穿光谱法(LIBS)：快速表面元素分析。

辉光放电质谱法(GD-MS)：固体样品中痕量元素检测。

二次离子质谱法(SIMS)：表面和深度分析。

紫外-可见分光光度法(UV-Vis)：特定金属离子的定量分析。

电化学分析法：检测金属离子的氧化还原特性。

质谱法(MS)：高分辨率元素分析。

拉曼光谱法：分子结构及杂质鉴定。

傅里叶变换红外光谱法(FTIR)：有机和无机杂质分析。

检测仪器

电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS), 原子吸收光谱仪(AAS), 电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP-OES), 气相色谱-质谱联用仪(GC-MS), 离子色谱仪(IC), X射线荧光光谱仪(XRF), 中子活化分析仪(NAA), 激光诱导击穿光谱仪(LIBS), 辉光放电质谱仪(GD-MS), 二次离子质谱仪(SIMS), 紫外-可见分光光度计(UV-Vis), 电化学分析仪, 质谱仪(MS), 拉曼光谱仪, 傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)

北检院部分仪器展示