碳化硅检测标准

碳化硅检测标准相关信息

GB/T 42271-2022 半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法
简介：
信息：ICS：77.040 CCS：H21 发布：2022-12-30 实施：2023-04-01

GB/T 34520.7-2017 连续碳化硅纤维测试方法 第7部分：高温强度保留率
简介：
信息：ICS：49.025.99 CCS：V13 发布：2017-11-01 00:00:00.0 实施：2018-02-01 00:00:00.0

GB/T 16555.5-1996 碳化硅耐火材料化学分析方法 邻二氮杂菲光度法测定三氧化二铁量
简介： 本标准规定了邻二氮杂菲光度法测定三氧化二铁的方法提要、试剂、仪器、分析步骤、分析结果的表述及允许差。 本标准适用于碳化硅耐火材料中三氧化二铁量的测定。 测定范围：三氧化二铁0.05%～4.00%。 本标准遵守GB 1467-78《冶金产品化学分析方法的总则及一般规定》。
信息：ICS：81.080 CCS：Q41 发布：1996-09-27 实施：1997-03-01

GB/T 41736-2022 高体积分数碳化硅颗粒铝基复合材料
简介：
信息：ICS：77.150.10 CCS：H61 发布：2022-10-14 实施：2023-05-01

GB/T 16555-2017 含碳、碳化硅、氮化物耐火材料化学分析方法
简介：
信息：ICS：81.080 CCS：Q40 发布：2017-09-07 00:00:00.0 实施：2018-08-01 00:00:00.0

GB/T 16555.4-1996 碳化硅耐火材料化学分析方法 EDTA容量法测定三氧化二铝量
简介： 本标准规定了EDTA容量法测定三氧化二铝量的方法提要、试剂、试样、分析步骤、分析结果的表述及允许差。 本标准适用于不含锆、锰、铬等重金属的碳化硅耐火材料中三氧化二铝量的测定。测定范围：三氧化二铝1.00％～60.00％。 本标准遵守GB1467《冶金产品化学分析方法标准的总则及一般规定》。
信息：ICS：81.080 CCS：Q41 发布：1996-09-27 实施：1997-03-01

GB/T 41765-2022 碳化硅单晶位错密度的测试方法
简介：
信息：ICS：77.040 CCS：H21 发布：2022-10-14 实施：2023-05-01

GB/T 30656-2014 碳化硅单晶抛光片
简介：本标准规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片的要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量证明书及订货单(或合同)内容。本标准适用于4H及6H碳化硅单晶研磨片经单面或双面抛光后制备的碳化硅单晶抛光片。产品主要用于制作半导体照明及电力电子器件的外延衬底。
信息：ICS：29.045 CCS：H83 发布：2014-12-31 实施：2015-09-01

GB/T 2480-1996 普通磨料 碳化硅
简介： 本标准规定了碳化硅磨料各牌号产品的代号、技术要求、试验方法、检验规则和包装。 本标准适用于制造固结磨具和涂附磨具等用途的碳化硅磨料。
信息：ICS：25.100.70 CCS：J43 发布：1996-07-05 实施：1997-02-01

GB/T 41737-2022 铝基复合材料 碳化硅体积分数试验方法 溶解法
简介：
信息：ICS：77.040.99 CCS：Y80 发布：2022-10-14 实施：2023-02-01

GB/T 31351-2014 碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法
简介：本标准规定了4H晶型和6H晶型碳化硅单晶抛光片的微管密度的无损检测方法。本标准适用于4H晶型和6H晶型碳化硅单晶抛光片经单面抛光或双面抛光后、微管的径向尺寸在一微米至几十微米范围内的微管密度的测量。
信息：ICS：77.040.99 CCS：H26 发布：2014-12-31 实施：2015-09-01

GB 11527-1989 车间空气中碳化硅粉尘卫生标准
简介： 本标准规定了车间空气中碳化硅粉尘的最高容许浓度及其监测检验方法。 本标准适用于碳化硅磨料、磨具的生产及使用碳化硅粉料的各类企业。
信息：ICS：13.040.30 CCS：C52 发布：1989-06-20 实施：1990-02-01

GB/T 21944.3-2022 碳化硅特种制品 反应烧结碳化硅窑具 第3部分：辊棒
简介：
信息：ICS：25.100.70 CCS：J43 发布：2022-07-11 实施：2023-02-01

GB/T 30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法
简介：本标准规定了碳化硅单晶片厚度及总厚度变化(TTV)的测试方法,包括接触式和非接触式两种方式。本标准适用于直径不小于30 mm、厚度为0.13 mm~1 mm的碳化硅单晶片。
信息：ICS：29.045 CCS：H83 发布：2014-07-24 实施：2015-02-01

GB 7327-1987 交流系统用碳化硅阀式避雷器
简介： 本标准规定了交流碳化硅阀式避雷器在正常使用条件下的技术要求、试验方法及检验规则等内容。
信息：ICS：13.260 CCS：K49 发布：1987-03-02 实施：1987-10-01

GB/T 21944.4-2022 碳化硅特种制品 反应烧结碳化硅窑具 第4部分：烧嘴套
简介：
信息：ICS：25.100.70 CCS：J43 发布：2022-07-11 实施：2023-02-01

GB/T 30866-2014 碳化硅单晶片直径测试方法
简介：本标准规定了用千分尺测量碳化硅单晶片直径的方法。本标准适用于碳化硅单晶片直径的测量。
信息：ICS：29.045 CCS：H83 发布：2014-07-24 实施：2015-02-01

GB/T 4654-1984 碳化硅、锆英砂、陶瓷类红外辐射加热器通用技术条件
简介： 本标准适用于以碳化硅、锆英砂陶瓷为基体的电热式红外辐射加热器（以下简称加热器）。
信息：ICS：97.100 CCS：L48 发布：1984-08-20 实施：1985-05-01

GB/T 21944.2-2022 碳化硅特种制品 反应烧结碳化硅窑具 第2部分：异形梁
简介：
信息：ICS：25.100.70 CCS：J43 发布：2022-07-11 实施：2023-02-01

GB/T 30868-2014 碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法
简介：本标准规定了利用熔融氢氧化钾腐蚀法测定碳化硅单晶微管密度的方法。本标准适用于碳化硅单晶微管密度的测定。
信息：ICS：29.045 CCS：H83 发布：2014-07-24 实施：2015-02-01

GB 4512-1984 小型加热炉用滑轨砖和座砖中碳化硅的化学分析方法
简介：本标准适用于小型加热炉用滑轨砖和座砖中碳化硅的测定。测定范围:碳化硅含量10.00～17.00%。本标准不适用含碳化铝、碳化钛等试样中碳化硅的测定。本标准包括碱石棉吸收重量法和气体容量法。本标准遵守GB 1467-1978《冶金产品化学分析方法标准的总则及一般规定》。
信息：ICS： CCS：Q44 发布：1984-06-28 实施：1985-06-01

GB/T 2480-2022 普通磨料 碳化硅
简介：
信息：ICS：25.100.70 CCS：J43 发布：2022-03-09 00:00:00.0 实施：2022-10-01 00:00:00.0

GB/T 21944.2-2009 碳化硅特种制品.反应烧结碳化硅窑具.第2部分:异型梁
简介：GB/T 21944的本部分规定了反方烧结碳化硅异型梁的产品分类、技术要求、试验方法、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、储存等。本部分适用于工作温度不高于1350℃的反应烧结碳化硅异型梁。
信息：ICS：25.100.70 CCS：J43 发布：2009-04-23 实施：2009-12-01

GB/T 32278-2015 碳化硅单晶片平整度测试方法
简介：
信息：ICS： CCS： 发布： 实施：2017-01-01

GB/T 21944.1-2022 碳化硅特种制品 反应烧结碳化硅窑具 第1部分：方梁
简介：
信息：ICS：25.100.70 CCS：J43 发布：2022-03-09 00:00:00.0 实施：2022-10-01 00:00:00.0

GB/T 21944.4-2009 碳化硅特种制品.反应烧结碳化硅窑具.第4部分:烧嘴套
简介：GB/T 21944的本部分规定了反应烧结碳化硅烧嘴套的产品分类、技术要求、检验方法、检验规则及标志、包装、运输、储存等。本部分适用于工作温度不高于1350℃的反应烧结碳化硅烧嘴套。
信息：ICS：25.100.70 CCS：J43 发布：2009-04-23 实施：2009-12-01

T/IAWBS 006-2022 碳化硅混合模块产品测试方法
简介：本标准针对由硅IGBT和碳化硅二极管组成的混合功率模块，参考GB/T29332、IEC60747-2和BSEN60747-15，以及国外主流功率半导体模块制造商产品的技术要求，同时结合混合模块的应用需求，对器件的术语、符号、基本额定值和特性以及测试方法进行详细规定和要求。并在在原有创新性的基础上，本次修订又创新性的提出了最高和最低允许工作结温的定义和测试方法，在国内尚属首次。
信息：ICS：31.080.01 CCS：C397 发布：2022-12-15 实施：2022-12-16

GB/T 41153-2021 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法
简介：
信息：ICS：77.040 CCS：H17 发布：2021-12-31 00:00:00.0 实施：2022-07-01 00:00:00.0

GB/T 16555-2008 含碳、碳化硅、氮化物耐火材料化学分析方法
简介：本标准规定了含碳、碳化硅、氮化物耐火材料及原料化学分析方法。本标准分析的项目如下：挥发分（VOL）;灼烧减量（LOI）;总碳量（T.C）;游离碳量（F.C）;碳化硅量（SiC）;总氮量（T.N）;氮化硅量（SiN）;游离硅量（F.Si）;游离铝量（F.Al）;二氧化硅量（SiO）;氧化铝量（AlO）;氧化铁量（所有价态铁以FeO计）;二氧化钛量（TiO）;氧化钙量（CaO）;氧化镁量（MgO）;氧化钾量（KO）;氧化钠量（NaO）;五氧化二磷量（PO）;氧化锆（铪）量（ZrO+HfO）;氧化锰量（所有价态锰以MnO计）;三氧化二铬量（CrO）。本标准分析项目的测定范围见表1。
信息：ICS：81.080 CCS：Q44 发布：2008-06-26 实施：2009-04-01

T/NXCL 011-2022 窑具用碳化硅微粉技术规范
简介：对生产日用陶瓷、电工陶瓷、建筑陶瓷等陶瓷烧结窑具所用的碳化硅精段砂、细微粉、超细微粉的粒度组成、化学成分、堆积密度和颗粒密度、磁性物质含量等进行了规范，并规定了上述各项目的检验方法和检验规则，便于碳化硅窑具行业内上下游企业统一产品技术指标。
信息：ICS：73.080 CCS：C308 发布：2022-11-18 实施：2022-11-18

GB/T 34520.8-2021 连续碳化硅纤维测试方法 第8部分：氧含量
简介：
信息：ICS：49.020 CCS：V13 发布：2021-08-20 00:00:00.0 实施：2022-03-01 00:00:00.0

GB/T 7327-2008 交流系统用碳化硅阀式避雷器
简介：本标准规定了交流碳化硅阀式避雷器在正常使用条件下的技术要求、试验方法及检验规则等。本标准适用于交流电力系统中限制过电压，保护电气设备免受过电压损坏的碳化硅阀式避雷器。
信息：ICS：91.120.40 CCS：K49 发布：2008-06-18 实施：2009-03-01

ASTM C863-00(2022) 评估高温下碳化硅耐火材料抗氧化性的标准试验方法
简介：
信息：ICS：81.080 CCS： 发布：2022-11-01 实施：

GB/T 34520.9-2021 连续碳化硅纤维测试方法 第9部分：碳含量
简介：
信息：ICS：49.020 CCS：V13 发布：2021-05-21 00:00:00.0 实施：2021-12-01 00:00:00.0

GB/T 21944.1-2008 碳化硅特种制品.反应烧结碳化硅窑具.第1部分:方梁
简介： GB／T 21944的本部分规定了反应烧结碳化硅窑具——方梁的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存等。 本部分适用于工作温度不高于l 350℃的反应烧结碳化硅方梁。
信息：ICS：25.100.70 CCS：Q95;J43 发布：2008-06-03 实施：2009-01-01

T/CASAS 016-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法
简介：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）因具有禁带宽度宽、临界击穿电场强、耐高温性能好等优点，逐渐在雷达探测、医疗通讯、交通运输以及新能源等领域广泛应用。结壳热阻作为表征热量在导热路径传输能力的重要参数，是直接反映器件热性能的关键技术指标之一，可以为器件的热设计与优化改进提供参考。因而，准确的热阻测试对于SiCMOSFET的鉴定、评价及其应用具有重要意义。
信息：ICS：31.080.01 CCS：C397 发布：2022-07-18 实施：2022-09-08

GB/T 37254-2018 高纯碳化硅 微量元素的测定
简介：
信息：ICS：71.040.50 CCS：A43 发布：2018-12-28 00:00:00.0 实施：2019-09-01 00:00:00.0

GB/T 21944.3-2008 碳化硅特种制品.反应烧结碳化硅窑具.第3部分:辊棒
简介： GB／T 21944的本部分规定了反应烧结碳化硅窑具——辊棒的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存等。 本部分适用于工作温度不高于1 350℃的反应烧结碳化硅辊棒(以下简称“辊棒”)。
信息：ICS：25.100.70 CCS：Q95;J43 发布：2008-06-03 实施：2009-01-01

T/CASAS 015-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）功率循环试验方法
简介：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFET)具有阻断电压高、工作频率高、耐高温能力强、通态电阻低和开关损耗小等特点，广泛应用于高频、高压功率系统中。随着电力电子技术的不断发展，越来越多的领域如航天、航空、石油勘探、核能、通信等，迫切需要能够在髙温、高频等极端环境下工作的电子器件。SiCMOSFET的功率循环试验是使器件重复承受通电升温和关断降温循环，以加速器件芯片与安装表面之间所有的键合和界面退化。器件能否能承受规定应力条件下的功率循环次数是评估器件实际应用可靠性的重要手段。由于SiO2与SiC界面缺陷的俘获和释放机制，传统的SiMOSFET的功率循环试验方法会由于SiCMOSFET器件的阈值电压V_GS(th)漂移导致结温等监测参数出现偏差，从而影响功率循环试验的准确性，本文件给出了适用于SiCMOSFET器件的功率循环试验方法。
信息：ICS：31.080.01 CCS：C397 发布：2022-07-18 实施：2022-09-08

GB/T 3045-2017 普通磨料 碳化硅化学分析方法
简介：
信息：ICS：25.100.70 CCS：J43 发布：2017-12-29 00:00:00.0 实施：2018-07-01 00:00:00.0

GB/T 2480-2008 普通磨料.碳化硅
简介：本标准规定了碳化硅磨料各牌号产品的代号、技术要求、试验方法、检验规则和包装。本标准适用于制造固结磨具和涂附磨具等磨削和研磨用途的碳化硅磨料。
信息：ICS：25.100.70 CCS：J43 发布：2008-06-03 实施：2009-01-01

IEC 63275-2:2022 半导体器件.碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性试验方法.第2部分:由体二极管操作引起的双极退化的试验方法
简介：
信息：ICS：31.080.30 CCS： 发布：2022-05-11 实施：

GB/T 34520.2-2017 连续碳化硅纤维测试方法 第2部分：单纤维直径
简介：
信息：ICS：49.025.99 CCS：V13 发布：2017-11-01 00:00:00.0 实施：2018-05-01 00:00:00.0

GB/T 3045-2003 普通磨料 碳化硅化学分析方法
简介： 本标准规定了碳化硅磨料及结晶块中二氧化硅、游离硅、游离碳、总碳、碳化硅、三氧化二铁、三氧化二铝、氧化钙、氧化镁的测定方法。 本标准适用于碳化硅磨料及碳化硅含量不小于95%的结晶块的化学成分测定。
信息：ICS：25.100.70 CCS：J43 发布：2003-10-08 实施：2004-04-01

IEC 63275-2-2022 半导体器件.碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性试验方法.第2部分:由体二极管操作引起的双极退化的试验方法
简介：
信息：ICS：31.080.30 CCS： 发布：2022-05-11 实施：

GB/T 34520.5-2017 连续碳化硅纤维测试方法 第5部分：单纤维拉伸性能
简介：
信息：ICS：49.025.99 CCS：V13 发布：2017-11-01 00:00:00.0 实施：2018-05-01 00:00:00.0

GB/T 10195.1-1997 电子设备用压敏电阻器 第2部分;空白详细规范 碳化硅浪涌抑制型压敏电阻器 评定水平E
简介： 空白详细规范是分规范的一种补充性文件，它包括详细规范的格式、编排和最少内容方面的要求。不遵守这些要求的详细规范不认为是符合IEC要求的规范。
信息：ICS：31.040.30 CCS：L15 发布：1997-12-09 实施：1998-09-01

IEC 63275-1:2022 半导体器件碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法第1部分:偏置温度不稳定性试验方法
简介：
信息：ICS：31.080.30 CCS： 发布：2022-04-21 实施：

GB/T 34520.1-2017 连续碳化硅纤维测试方法 第1部分：束丝上浆率
简介：
信息：ICS：49.025.99 CCS：V13 发布：2017-11-01 00:00:00.0 实施：2018-05-01 00:00:00.0

GB/T 16555.3-1996 碳化硅耐火材料化学分析方法 气体容量法测定游离硅量
简介： 本标准规定了气体容量法测定游离硅量的方法提要和原理、试剂和材料、仪器设备、试样、分析步骤、分析结果的表述及允许差。 本标准适用于碳化硅耐火材料中游离硅量的测定。测定范围：游离硅0.10％～3.00％。
信息：ICS：81.080 CCS：Q41 发布：1996-09-27 实施：1997-03-01

IEC 63275-1-2022 半导体器件碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法第1部分:偏置温度不稳定性试验方法
简介：
信息：ICS：31.080.30 CCS： 发布：2022-04-21 实施：

GB/T 34520.7-2017 连续碳化硅纤维测试方法 第7部分：高温强度保留率
简介：
信息：ICS：49.025.99 CCS：V13 发布：2017-11-01 00:00:00.0 实施：2018-02-01 00:00:00.0

GB/T 16555.1-1996 碳化硅耐火材料化学分析方法 吸收重量法测定碳化硅量
简介： 本标准规定了吸收重量法测定游离碳量、总碳量和碳化硅量的方法提要、试剂和材料、仪器设备、试样、分析步骤、分析结果的表述及允许差。 本标准适用于碳化硅耐火材料中游离碳量、总碳量和碳化硅量的测定。 测定范围：游离碳0.10%～5.00%，总碳≥15.00％，碳化硅≥45.00%。
信息：ICS：81.080 CCS：Q41 发布：1996-09-27 实施：1997-03-01

T/IAWBS 016-2022 碳化硅单晶片 X 射线双晶摇 摆曲线半高宽测试方法
简介：本文件根据碳化硅单晶的材料性能特点，并结合目前国内碳化硅晶体质量检测技术的研究水平，对碳化硅单晶摇摆曲线的测量原理、测量精度保障、测量步骤等内容作出了规定。本文件的主要结构和内容如下：本文件主题章共分为9章，主要内容包括：范围、规范性引用文件、术语和定义、测试原理、测试仪器、干扰因素，测试环境、测试样品、测试程序、精密度、测试报告和附录。
信息：ICS：29.045 CCS：C398 发布：2022-03-17 实施：2022-03-17

GB/T 34520.4-2017 连续碳化硅纤维测试方法 第4部分：束丝拉伸性能
简介：
信息：ICS：49.025.99 CCS：V13 发布：2017-11-01 00:00:00.0 实施：2018-05-01 00:00:00.0

GB/T 16555.2-1996 碳化硅耐火材料化学分析方法 气体容量法测定碳化硅量
简介： 本标准规定了气体容量法测定游离碳量、总碳量和碳化硅量的方法提要和原理、试剂和材料、仪器设备、试样、分析步骤、分析结果的表述及允许差。 本标准适用于不含石墨的碳化硅耐火材料中游离碳量、总碳量和碳化硅量的测定。 测定范围：游离碳0.10%～5.00%，总碳3.00%～15.00%，碳化硅5.00%~45.00%。
信息：ICS：81.080 CCS：Q41 发布：1996-09-27 实施：1997-03-01

T/NXCL 002-2021 常压烧结碳化硅陶瓷防弹材料
简介：本文件规定了常压烧结碳化硅陶瓷防弹材料的定义、技术要求、试验方法、检验规则和包装、标志、运输、贮存。确定了本文件适用的常压烧结碳化硅陶瓷防弹材料范围、分类。测定方法及引用文件技术要求和产品检验、取样、包装、运输。常压烧结碳化硅陶瓷防弹材料在客户应用过程中会首先检查外观质量、形状与尺寸公差、物理性能。在有条件的情况下测试密度和维氏硬度、三点弯曲强度、断裂韧性等性能。建议根据客户的要求选择测试仪器，尽量和客户的检测仪器一致，减小差异。
信息：ICS：81.060.30 CCS：C307 发布：2021-11-11 实施：2021-11-11

GB/T 34520.6-2017 连续碳化硅纤维测试方法 第6部分：电阻率
简介：
信息：ICS：49.025.99 CCS：V13 发布：2017-11-01 00:00:00.0 实施：2018-02-01 00:00:00.0

GB/T 16555.6-1996 碳化硅耐火材料化学分析方法 测定二氧化硅量
简介： 本标准规定了测定二氧化硅量的方法提要、试剂和材料、仪器设备、试样、分析步骤、分析结果的表述及允许差。 本标准适用于SiC≤15%的碳化硅耐火材料中二氧化硅量的测定。 测定范围：二氧化硅≥20.00%。
信息：ICS：81.080 CCS：Q41 发布：1996-09-27 实施：1997-03-01

T/NXCL 001-2021 精细陶瓷用亚微米碳化硅微粉
简介：本文件规定了精细陶瓷用亚微米碳化硅微粉的定义、技术要求、试验方法、理化指标、试验方法、检验规则和包装、标志、运输、贮存。确定了本标准适用的亚微米碳化硅粉范围、分类。测定方法及引用文件技术要求和产品检验、取样、包装、运输。亚微米碳化硅微粉在客户应用过程中会首先检查粉体粒径大小和颗粒分布，以及粉体纯度和主要杂质含量。在有条件的情况下测试粉体的比表面积做辅助更有利于确定粉体的品质，国外用户往往要求。由于亚微米粉体粒径很细，采用不同仪器测试非常影响检验结果，因此建议根据客户的要求选择测试仪器，尽量和客户的检测仪器一致，减小差异。
信息：ICS：81.060.30 CCS：C307 发布：2021-11-11 实施：2021-11-11