氮化镓外延片电阻率检测

信息概要

氮化镓外延片电阻率检测是评估半导体材料性能的关键环节，直接影响器件的工作效率与可靠性。第三方检测机构通过专业设备与方法，为客户提供精准的电阻率检测服务，确保产品符合行业标准与客户需求。检测不仅有助于优化生产工艺，还能为研发和质量控制提供数据支持，是氮化镓外延片生产与应用中不可或缺的一环。

检测项目

电阻率，载流子浓度，迁移率，厚度均匀性，表面粗糙度，晶体质量，缺陷密度，掺杂浓度，霍尔效应，热稳定性，光学性能，电学性能，应力分布，晶格常数，表面形貌，界面态密度，击穿电压，漏电流，热导率，化学组分

检测范围

Si衬底氮化镓外延片，蓝宝石衬底氮化镓外延片，SiC衬底氮化镓外延片，同质外延片，异质外延片，高阻氮化镓外延片，低阻氮化镓外延片，掺杂型氮化镓外延片，非掺杂型氮化镓外延片，超薄氮化镓外延片，厚膜氮化镓外延片，LED用氮化镓外延片，功率器件用氮化镓外延片，射频器件用氮化镓外延片，光电器件用氮化镓外延片，高温器件用氮化镓外延片，高频器件用氮化镓外延片，垂直结构氮化镓外延片，横向结构氮化镓外延片，多量子阱氮化镓外延片

检测方法

四探针法：通过四探针接触样品表面测量电阻率。

霍尔效应测试：利用霍尔效应测定载流子浓度和迁移率。

X射线衍射（XRD）：分析晶体结构和晶格常数。

原子力显微镜（AFM）：检测表面形貌和粗糙度。

扫描电子显微镜（SEM）：观察表面微观结构和缺陷。

透射电子显微镜（TEM）：分析晶体缺陷和界面质量。

二次离子质谱（SIMS）：测定掺杂浓度和化学组分。

光致发光（PL）：评估光学性能和缺陷密度。

拉曼光谱：分析应力分布和晶体质量。

电容-电压（C-V）测试：测量界面态密度和载流子分布。

电流-电压（I-V）测试：评估电学性能和击穿特性。

热导率测试：测定材料的热传导性能。

椭偏仪：测量薄膜厚度和光学常数。

傅里叶变换红外光谱（FTIR）：分析化学键和组分。

电化学阻抗谱（EIS）：评估界面电化学特性。

检测仪器

四探针测试仪，霍尔效应测试系统，X射线衍射仪，原子力显微镜，扫描电子显微镜，透射电子显微镜，二次离子质谱仪，光致发光光谱仪，拉曼光谱仪，电容-电压测试仪，电流-电压测试仪，热导率测试仪，椭偏仪，傅里叶变换红外光谱仪，电化学工作站

北检院部分仪器展示