二次离子质谱(SIMS)表面泄漏检测

信息概要

二次离子质谱(SIMS)表面泄漏检测是一种高灵敏度的表面分析技术，用于检测材料表面的微量元素、分子或离子泄漏情况。该技术通过聚焦离子束轰击样品表面，产生二次离子并利用质谱仪进行分析，可精确识别表面成分及其分布。检测的重要性在于确保材料或产品的密封性、可靠性和安全性，广泛应用于半导体、航空航天、医疗设备等领域，防止因表面泄漏导致的性能失效或安全隐患。

检测项目

元素成分分析，表面污染物检测，离子浓度测量，分子结构鉴定，深度剖面分析，表面形貌观察，化学键合状态，同位素比例，杂质分布，氧化层厚度，薄膜均匀性，界面扩散，腐蚀产物分析，有机残留物，无机残留物，颗粒分布，表面吸附物，化学态变化，缺陷识别，材料纯度评估

检测范围

半导体器件，集成电路，太阳能电池，光学涂层，金属薄膜，陶瓷材料，聚合物薄膜，生物材料，纳米材料，医疗器械，航空航天部件，电子封装材料，催化剂，电池材料，传感器，磁性材料，超导材料，复合材料，玻璃涂层，防腐涂层

检测方法

静态SIMS：通过低离子束流分析表面分子信息，适用于有机材料检测。

动态SIMS：采用高离子束流进行深度剖面分析，适合无机材料研究。

飞行时间SIMS(TOF-SIMS)：高分辨率质谱技术，用于表面分子成像。

磁扇形SIMS：高灵敏度元素分析，适用于痕量检测。

四极杆SIMS：快速扫描分析，适合常规元素检测。

激光SIMS：结合激光烧蚀技术，扩展分析范围。

簇离子SIMS：减少样品损伤，提高分子离子产率。

成像SIMS：二维或三维成分分布分析。

深度剖析SIMS：测量元素随深度的变化。

定量SIMS：通过标准样品校准实现定量分析。

高分辨率SIMS：亚微米级空间分辨率分析。

多检测器SIMS：同时检测多种元素或分子。

原位SIMS：实时监测表面变化过程。

温度控制SIMS：研究温度对表面成分的影响。

反应性SIMS：通过反应气体增强特定离子信号。

检测仪器

TOF-SIMS 5, NanoSIMS 50L, IMS 7f, SIMS 1910, PHI TRIFT III, CAMECA IMS 1280, Hiden SIMS Workstation, SIMS IV, ATOMIKA 6500, SIMS 4550, SIMS 4600, SIMS 4700, SIMS 4800, SIMS 4900, SIMS 5000

北检院部分仪器展示