晶圆切割面粗糙度Ra测试

信息概要

晶圆切割面粗糙度Ra测试是半导体制造和微电子加工中的关键质量控制环节，用于评估晶圆切割后的表面平整度和微观形貌。该测试通过测量表面轮廓的算术平均偏差（Ra值），确保切割面符合工艺要求，从而避免后续加工中的缺陷或性能损失。检测的重要性在于直接影响芯片的良率、可靠性和封装效果，是半导体产业链中不可或缺的检测项目。

检测项目

粗糙度Ra值，粗糙度Rz值，表面波纹度，切割面微观裂纹，切割面毛刺，表面划痕，切割面崩边，表面残留物，切割面倾斜度，切割面平整度，表面光泽度，切割面微观形貌，表面污染度，切割面应力分布，表面硬度，切割面几何精度，表面反射率，切割面热影响区，表面氧化层厚度，切割面边缘完整性

检测范围

硅晶圆，砷化镓晶圆，碳化硅晶圆，氮化镓晶圆，蓝宝石晶圆，磷化铟晶圆，锗晶圆，SOI晶圆，化合物半导体晶圆，柔性晶圆，超薄晶圆，大尺寸晶圆，小尺寸晶圆，多晶硅晶圆，单晶硅晶圆，抛光晶圆，未抛光晶圆，图形化晶圆，非图形化晶圆，异质结晶圆

检测方法

接触式轮廓仪法：通过探针直接接触表面测量轮廓数据。

激光共聚焦显微镜法：利用激光扫描获取高分辨率表面形貌。

白光干涉仪法：通过光干涉原理测量纳米级粗糙度。

原子力显微镜（AFM）法：适用于原子级表面形貌分析。

扫描电子显微镜（SEM）法：观察微观形貌和缺陷。

光学轮廓仪法：非接触式快速测量表面粗糙度。

表面粗糙度比较样块法：通过视觉或触觉对比评估。

X射线衍射法：分析切割面应力分布。

红外光谱法：检测表面污染或氧化层。

超声波检测法：评估内部裂纹或缺陷。

拉曼光谱法：分析材料成分和晶体结构。

椭偏仪法：测量薄膜厚度和表面特性。

显微硬度计法：测试切割面局部硬度。

热成像法：检测热影响区分布。

能谱分析法（EDS）：定性分析表面元素组成。

检测仪器

接触式轮廓仪，激光共聚焦显微镜，白光干涉仪，原子力显微镜，扫描电子显微镜，光学轮廓仪，X射线衍射仪，红外光谱仪，超声波检测仪，拉曼光谱仪，椭偏仪，显微硬度计，热成像仪，能谱分析仪，表面粗糙度测试仪

北检院部分仪器展示