开裂形貌分析(通过SEM/光学显微镜观察表面裂纹分布及深度),裂纹密度统计(单位面积内裂纹数量量化),氢化层厚度测量(截面分析确定氢化层均匀性),界面结合强度(评估氢化层与基体粘附力),元素分布分析(EDS/XPS检测Si、C、H、O等元素分布),相结构鉴定(XRD确定硅晶型及碳相组成),残余应力测试(拉曼光谱或纳米压痕法测量应力值),循环膨胀率(充放电过程中体积变化率),电化学阻抗谱(EIS分析界面电荷转移阻力),首次库伦效率(评估不可逆容量损失),比表面积(BET法检测材料孔隙结构),粒度分布(激光粒度仪分析颗粒均匀性),表面粗糙度(AFM表征氢化层平整度),硬度测试(纳米压痕法测量局部力学性能),弹性模量(评估材料抗变形能力),断裂韧性(临界应力强度因子测定),热稳定性(DSC/TGA分析高温相变行为),气体释放成分(质谱仪检测裂解产物),SEI膜成分(FTIR/XPS解析界面化学组成),离子扩散系数(恒电流间歇滴定技术测算),电子电导率(四探针法评估导电性能),粘结剂分布(显微红外成像观察有机相分散),循环寿命测试(标准充放电协议下的容量保持率),高温存储性能(特定温度下容量衰减评估),低温性能(低温环境放电容量测试),倍率性能(不同电流密度下的容量输出),自放电率(开路电压随时间下降速率),短路测试(模拟内部短路的安全性评估),针刺测试(机械滥用下的热失控行为),挤压测试(评估结构完整性失效阈值),跌落测试(模拟运输撞击的机械稳定性)。
纯硅基负极氢化层,纳米硅碳复合氢化层,多孔硅碳氢化层,核壳结构硅碳氢化层,石墨烯包覆硅氢化层,碳纳米管增强硅氢化层,氧化亚硅复合氢化层,硅合金氢化层,预锂化硅碳氢化层,单晶硅氢化层,无定形硅氢化层,微米硅颗粒氢化层,沥青基碳包覆氢化层,聚合物衍生碳氢化层,气相沉积碳氢化层,生物质碳硅氢化层,硅氧碳复合氢化层,金属掺杂硅碳氢化层,多层梯度氢化层,纳米线阵列氢化层,多孔泡沫硅氢化层,球形硅碳氢化层,纤维状硅碳氢化层,中空结构硅氢化层,导电聚合物改性氢化层,硅碳纳米片氢化层,硅碳微球氢化层,硅碳气凝胶氢化层,硅碳薄膜氢化层,硅碳三维网络氢化层。
扫描电子显微镜法(SEM高分辨率形貌观测结合能谱分析)
X射线光电子能谱法(XPS表面化学态及元素价态分析)
聚焦离子束-透射电镜联用法(FIB-TEM截面纳米级结构解析)
原子力显微镜法(AFM三维形貌及力学性能同步测试)
X射线衍射法(XRD晶体结构及相变定量分析)
拉曼光谱法(碳材料有序度及局部应力场测定)
电化学阻抗谱法(EIS界面动力学参数拟合)
恒电流间歇滴定技术(GITT锂离子扩散系数计算)
纳米压痕法(原位力学性能与裂纹扩展关系研究)
热重-差示扫描量热法(TGA-DSC热稳定性协同分析)
傅里叶变换红外光谱法(FTIR官能团及SEI膜成分鉴定)
气体色谱-质谱联用法(GC-MS裂解气体成分定性定量)
激光共聚焦显微镜法(三维裂纹网络重构)
超声波探伤法(内部缺陷无损检测)
同步辐射X射线断层扫描(SR-CT内部结构动态演变观察)
二次离子质谱法(SIMS元素深度分布剖析)
原位X射线衍射法(充放电过程相变实时监测)
四点弯曲法(氢化层与基体界面结合强度测试)
动态机械分析法(DMA粘弹性行为表征)
接触角测量法(表面能及润湿性评估)
场发射扫描电子显微镜,X射线光电子能谱仪,透射电子显微镜,原子力显微镜,X射线衍射仪,激光共聚焦拉曼光谱仪,电化学工作站,纳米压痕仪,同步热分析仪,傅里叶变换红外光谱仪,气相色谱-质谱联用仪,超声波探伤仪,同步辐射光源,二次离子质谱仪,四探针电阻率测试仪。